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发明公开
非水二次电池的制造方法及非水二次电池的制造装置审中-实审

公开(公告)号：CN118738583A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410214969.2

申请日：2024-02-27

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 宫田航成 , 梅津健太 , 丰嶋崇 , 市原大辉 , 蜂谷诚

IPC: H01M10/0585 , H01M10/0525

Abstract: 本发明要解决的问题是，提供一种可以抑制层叠体的变形的非水二次电池的制造方法。为了解决上述问题，本发明提供一种非水二次电池的制造方法，其依次具有：层叠工序，将包含正极活性物质的正极层、及包含固体电解质的电解质层加以层叠而获得层叠体；凹凸形成工序，在从前述层叠体的面方向上的一方朝向另一方，沿前述层叠体的厚度方向施加压力的同时，形成从前述一方朝向前述另一方延伸的凹部及/或凸部；及，加压平坦化工序，在对前述层叠体施加向厚度方向的压力的同时，将前述凹部及/或前述凸部平坦化。

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