公开(公告)号：CN111380929B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN201811617497.6

申请日：2018-12-27

Applicant: 有研工程技术研究院有限公司

Inventor： 张青竹 ,  魏千惠 ,  魏峰 ,  张晓 ,  赵春华

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/327 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

Abstract: 本发明公开了一种基于FinFET制造工艺的硅纳米线细胞传感器。该细胞传感器采用CMOS兼容的“自上而下”形成的纳米线结构，包括：在SO1衬底上的通过FinFET制造工艺形成的Si纳米线、通过光刻、磁控溅射和剥离工艺制备的金电极；在该细胞传感器的表面具有通过原子层沉积法形成的高k栅介质层。本发明的细胞传感器能够对活体细胞进行快速、准确、无损和高灵敏度的检测，而且该细胞传感器具有微型化、可集成、制作成本低和可循环利用的等优点。

公开(公告)号：CN111380929A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201811617497.6

申请日：2018-12-27

Applicant: 有研工程技术研究院有限公司

Inventor： 张青竹 ,  魏千惠 ,  魏峰 ,  张晓 ,  赵春华

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/327 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

Abstract: 本发明公开了一种基于FinFET制造工艺的硅纳米线细胞传感器。该细胞传感器采用CMOS兼容的“自上而下”形成的纳米线结构，包括：在SO1衬底上的通过FinFET制造工艺形成的Si纳米线、通过光刻、磁控溅射和剥离工艺制备的金电极；在该细胞传感器的表面具有通过原子层沉积法形成的高k栅介质层。本发明的细胞传感器能够对活体细胞进行快速、准确、无损和高灵敏度的检测，而且该细胞传感器具有微型化、可集成、制作成本低和可循环利用的等优点。

公开(公告)号：CN113130648A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201911402226.3

申请日：2019-12-30

Applicant: 有研工程技术研究院有限公司

Inventor： 魏千惠 ,  张青竹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  G01N33/574

Abstract: 本发明公开了一种基于鳍式场效应晶体管制造工艺的肿瘤标志物传感器。该肿瘤标志物传感器采用CMOS兼容的“自上而下”形成的纳米线结构，包括：在SOI衬底上的通过鳍式场效应晶体管制造工艺形成的Si纳米线；通过光刻、磁控溅射和剥离工艺制备的金电极；在该肿瘤标志物传感器的表面具有通过原子层沉积法形成的高k栅介质层；在传感器表面通过光刻工艺、对准技术搭建的微流控多通道。本发明的肿瘤标志物传感器能够对混合蛋白溶液进行快速、准确、高灵敏度的检测，而且该肿瘤标志物传感器具有微型化、可集成、制作成本低和可循环利用的等优点。

公开(公告)号：CN113130648B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201911402226.3

申请日：2019-12-30

Applicant: 有研工程技术研究院有限公司

Inventor： 魏千惠 ,  张青竹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  G01N33/574

Abstract: 本发明公开了一种基于鳍式场效应晶体管制造工艺的肿瘤标志物传感器。该肿瘤标志物传感器采用CMOS兼容的“自上而下”形成的纳米线结构，包括：在SOI衬底上的通过鳍式场效应晶体管制造工艺形成的Si纳米线；通过光刻、磁控溅射和剥离工艺制备的金电极；在该肿瘤标志物传感器的表面具有通过原子层沉积法形成的高k栅介质层；在传感器表面通过光刻工艺、对准技术搭建的微流控多通道。本发明的肿瘤标志物传感器能够对混合蛋白溶液进行快速、准确、高灵敏度的检测，而且该肿瘤标志物传感器具有微型化、可集成、制作成本低和可循环利用的等优点。