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公开(公告)号:CN107356561A
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201710517790.4
申请日:2017-06-29
Applicant: 暨南大学
IPC: G01N21/552
CPC classification number: G01N21/554
Abstract: 本发明公开了二硫化钨增敏的表面等离子体共振传感器及其制备方法,在表面等离子体共振传感芯片上沉积有二硫化钨纳米片膜层,所述表面等离体子体共振传感芯片是通过真空蒸镀法将金膜或银膜镀在侧边抛磨光纤抛磨面或棱镜表面制作而成。所述侧边抛磨光纤是通过光纤抛磨掉部分包层和纤芯制作而成。本发明制备方法简单、易操作,制得的传感器兼容性高、响应灵敏、线性好、重复性高。
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公开(公告)号:CN107389618A
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201710448585.7
申请日:2017-06-14
Applicant: 暨南大学
IPC: G01N21/552
CPC classification number: G01N21/554
Abstract: 本发明公开了一种二氧化钛增敏的表面等离子体共振传感器及其制备方法,通过旋涂法覆盖二氧化钛纳米颗粒修饰表面等离子体共振传感芯片,所述表面等离体子体共振传感芯片是通过真空蒸镀法将金膜或银膜镀在侧边抛磨光纤抛磨面或棱镜表面制作而成。所述侧边抛磨光纤是通过光纤抛磨掉部分包层和纤芯制作而成。本发明制备简单、低廉,制得的传感器兼容性高、响应灵敏、比表面积大。
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