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公开(公告)号：CN114823750A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110571308.1
申请日：2021-05-25
申请人： 晶相光电股份有限公司
发明人： 李柏叡
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/374
摘要： 本发明提供一种影像感测装置。所述影像感测装置包括一基板、一第一介电层、一影像感测阵列、多个纳米井以及多个电极。所述第一介电层形成在所述基板上，并具有一第一侧与相对于所述第一侧的一第二侧。所述影像感测阵列形成在所述基板与所述第一介电层的所述第二侧之间，并包括多个影像感测单元。所述纳米井形成在所述第一介电层中。每一所述纳米井在所述第一介电层的所述第一侧具有一开口。每一所述电极是从所述第一介电层的所述第二侧延伸到所述第一侧并位于两相邻的所述纳米井之间。
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公开(公告)号：CN112310129A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010335143.3
申请日：2020-04-24
申请人： 晶相光电股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本揭露提供一种影像感测装置，包含：基板、感光元件、第一介电层、导光结构以及图案化导电层。所述感光元件设置于基板中，所述第一介电层设置于基板的第一侧，所述导光结构设置于第一介电层中，所述图案化导电层设置于感光元件与导光结构之间，且其中所述图案化导电层包括次波长结构。本揭露亦提供一种包含上述影像感测装置的影像感测系统。本发明的影像感测装置和系统具有进一步提升效能的结构设计。
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公开(公告)号：CN110634893A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810879116.5
申请日：2018-08-03
申请人： 晶相光电股份有限公司
发明人： 李柏叡
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明实施例提供一种全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器及其形成方法。全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器包括：光二极管，位于基板的上部；浮置扩散区，位于基板的上部；储存二极管，位于基板的上部，储存二极管位于光二极管及浮置扩散区之间；第一传输栅极，位于光二极管及储存二极管之间的基板之上；第二传输栅极，位于储存二极管及浮置扩散区之间的基板之上；第一介电层，位于基板之上，且覆盖第一传输栅极及第二传输栅极；遮光层，设于第一介电层上；及光管，穿过遮光层与部分的第一介电层，对应设置于光二极管的上方，光管的折射率大于第一介电层的折射率。
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公开(公告)号：CN111697012B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201910299928.7
申请日：2019-04-15
申请人： 晶相光电股份有限公司
发明人： 李柏叡
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本揭露提供一种影像感测器及其制造方法。影像感测器包括半导体基板、第一环形掺杂区、第二环形掺杂区、环形隔离区、光电转换区、电压转换区以及栅极结构。第一环形掺杂区设置在半导体基板中，并且包括第一类型掺杂物。第二环形掺杂区设置在半导体基板中，并且在第一环形掺杂区上方，第二环形掺杂区包括第二类型掺杂物。环形隔离区设置在半导体基板中，并且在第二环形掺杂区上方。光电转换区设置在环形隔离区内的半导体基板中。电压转换区设置在环形隔离区内的半导体基板中。栅极结构设置在半导体基板上。
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公开(公告)号：CN115440751A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110949053.8
申请日：2021-08-18
申请人： 晶相光电股份有限公司
发明人： 李柏叡
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种影像感测器及其制造方法，影像感测器包括一基板；光电二极管，设置于所述基板中，且靠近所述基板的第一端；以及储存节点，设置于所述基板中并相邻于光电二极管，且靠近所述基板的第一端。所述影像感测器还包括设置于所述基板中以及储存节点上方的第一隔离结构；设置于第一隔离结构中的第一遮光结构；设置于所述基板的第二端上方的层间介电层，其中第二端相对于第一端；以及设置于层间介电层上方的透镜结构。
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公开(公告)号：CN114582898A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202110193652.1
申请日：2021-02-20
申请人： 晶相光电股份有限公司
发明人： 李柏叡
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种影像感测器。一影像感测阵列形成于一基板内。一微透镜阵列形成于影像感测阵列之上。一彩色滤光阵列形成于微透镜阵列以及影像感测阵列之间，并包括多个蓝色滤光片、多个红色滤光片、多个第一组合式滤光片以及多个第二组合式滤光片。每一第一组合式滤光片以及每一第二组合式滤光片包括两个第一子滤光片以及两个第二子滤光片。第一子滤光片与第二子滤光片在第一特定波长范围具有相似的消光系数，并在第二特定波长范围具有不同的消光系数。第一子滤光片与第二子滤光片的面积是小于蓝色滤光片与红色滤光片的面积。
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公开(公告)号：CN112635498A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010366225.4
申请日：2020-04-30
申请人： 晶相光电股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 提供一种影像感测装置及其形成方法，影像感测装置包含基底、感光元件、介电层、反射层、彩色滤光层以及微透镜结构。前述基底具有第一像素及邻近第一像素的第二像素，且基底具有前侧及相对于前侧的背侧。前述感光元件设置于基底中。前述介电层设置于基底的背侧上。前述反射层设置于基底的前侧上且具有抛物面。前述彩色滤光层设置于介电层上。前述微透镜结构设置于彩色滤光层上。
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公开(公告)号：CN112635497A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010082250.X
申请日：2020-02-07
申请人： 晶相光电股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 提供一种影像感测器结构及其形成方法，影像感测器结构包含：基底，具有第一导电型态；第一井区和第二井区，设置于基底中且彼此分开；隔离区，设置于第一井区中；栅极，设置于基底上且于第一井区和第二井区之间；以及嵌入式光二极管，设置于基底中且于第一井区和第二井区之间，其中嵌入式二极管包含：第一掺杂区，设置于基底中且具有第一掺杂浓度及第一导电型态；以及第二掺杂区，设置于第一掺杂区下且具有第二掺杂浓度及与第一导电型态相反的第二导电型态，其中第一掺杂浓度和第二掺杂浓度中至少一者为不均匀且第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN111697012A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910299928.7
申请日：2019-04-15
申请人： 晶相光电股份有限公司
发明人： 李柏叡
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本揭露提供一种影像感测器及其制造方法。影像感测器包括半导体基板、第一环形掺杂区、第二环形掺杂区、环形隔离区、光电转换区、电压转换区以及栅极结构。第一环形掺杂区设置在半导体基板中，并且包括第一类型掺杂物。第二环形掺杂区设置在半导体基板中，并且在第一环形掺杂区上方，第二环形掺杂区包括第二类型掺杂物。环形隔离区设置在半导体基板中，并且在第二环形掺杂区上方。光电转换区设置在环形隔离区内的半导体基板中。电压转换区设置在环形隔离区内的半导体基板中。栅极结构设置在半导体基板上。
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