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公开(公告)号：CN114697576A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110184834.2
申请日：2021-02-10
申请人： 晶相光电股份有限公司
发明人： 彭圣懿
摘要： 一种影像感测装置及其黑阶校正方法。影像感测装置包括像素阵列，像素阵列包括第一非感光区、第二非感光区及影像像素区。黑阶校正方法包括下列步骤：每隔一预定扫瞄周期接收来自第一非感光区、第二非感光区及影像像素区的第一模拟信号、第二模拟信号及第三模拟信号；利用影像感测装置的模拟至数字转换器将第一模拟信号、第二模拟信号及第三模拟信号分别转换为第一数字信号、第二数字信号及第三数字信号；以及依据第一数字信号及第二数字信号对第三数字信号进行黑阶校正处理以产生黑阶校正数字信号，其中该黑阶校正处理为一卡尔曼滤波器。
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公开(公告)号：CN110634893A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810879116.5
申请日：2018-08-03
申请人： 晶相光电股份有限公司
发明人： 李柏叡
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明实施例提供一种全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器及其形成方法。全域快门互补式金属氧化物半导体影像感测器包括：光二极管，位于基板的上部；浮置扩散区，位于基板的上部；储存二极管，位于基板的上部，储存二极管位于光二极管及浮置扩散区之间；第一传输栅极，位于光二极管及储存二极管之间的基板之上；第二传输栅极，位于储存二极管及浮置扩散区之间的基板之上；第一介电层，位于基板之上，且覆盖第一传输栅极及第二传输栅极；遮光层，设于第一介电层上；及光管，穿过遮光层与部分的第一介电层，对应设置于光二极管的上方，光管的折射率大于第一介电层的折射率。
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公开(公告)号：CN110376632A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810439176.5
申请日：2018-05-09
申请人： 晶相光电股份有限公司
发明人： 许志行
IPC分类号： G01T1/20
摘要： 本揭露提供一种X射线感测装置及其制造方法。X射线感测装置包括：基板；第一材料层，设置于基板上；电路元件，设置于第一材料层的底部；光电感测元件，设置于电路元件上；柱状结构，对应设置于光电感测元件上，且与光电感测元件接触，其中柱状结构包括闪烁材料；以及接垫，设置于第一材料层的顶表面或底表面上，并与电路元件耦接。
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公开(公告)号：CN106303309B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201510332791.2
申请日：2015-06-16
申请人： 晶相光电股份有限公司
发明人： 林俊宏
摘要： 本发明揭露一种影像校正系统以及方法。影像校正系统包括一影像撷取模块、一第一计算模块、一第二计算模块以及一输出模块。影像撷取模块用以取得一输入影像以及一引导影像。第一计算模块用以根据一第一参数以及一第二参数取得一第一校正影像。第一计算模块还根据一比值以及引导函数的像素平均值取得一平滑函数，根据引导影像的像素平均值、引导影像的变异数、输入影像的像素平均值以及平滑函数取得第一参数，以及根据第一参数、引导影像的像素平均值以及输入影像的像素平均值取得第二参数。第二计算模块用以根据引导影像的像素平均值以及引导影像的变异数取得像素平均值对应于变异数的比值。输出模块用以输出上述第一校正影像。
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公开(公告)号：CN109037168A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201710507512.0
申请日：2017-06-28
申请人： 晶相光电股份有限公司
发明人： 许志行
摘要： 本揭露提供一种生物感测器封装结构及其制造方法。生物感测器封装结构包括：保护层；重分布层，设置于保护层上方，其中保护层具有多个暴露出重分布层的开口；至少一晶粒，设置于保护层及重分布层上方；多个接垫，设置于晶粒的下表面；多个导孔，设置于接垫及重分布层之间以提供电性连接；介电材料，设置于保护层及重分布层上方，且与晶粒、接垫及导孔相邻；以及至少一生物感测区，设置于晶粒的顶部，其中上述接垫的顶表面设置于低于生物检测区的顶表面且高于晶粒的底表面的水平。
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公开(公告)号：CN105572398A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410534230.6
申请日：2014-10-11
申请人： 晶相光电股份有限公司
发明人： 许志行
CPC分类号： G01N27/44791 , B01L3/502784 , B01L2300/0819 , B01L2300/0829 , B01L2300/0887 , B01L2300/12 , B01L2300/165 , B01L2400/0424 , B01L2400/082
摘要： 本发明提供一种生物芯片封装，包括：(a)底板，包括：底部基板；第一电极层设置于底部基板上；及第一疏水层设置于第一电极层上；(b)顶板，包括：顶部基板；及第二疏水层设置于顶部基板上，且第一疏水层及第二疏水层对向设置且彼此间隔以形成流体通道；(c)控制单元，连接第一电极层以于第一方向上操作流体；(d)至少一生物芯片，经由多个连接柱架设于底板上方并与底板彼此间隔，以使流体流经至少一生物芯片及底板之间。
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公开(公告)号：CN112635498A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010366225.4
申请日：2020-04-30
申请人： 晶相光电股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 提供一种影像感测装置及其形成方法，影像感测装置包含基底、感光元件、介电层、反射层、彩色滤光层以及微透镜结构。前述基底具有第一像素及邻近第一像素的第二像素，且基底具有前侧及相对于前侧的背侧。前述感光元件设置于基底中。前述介电层设置于基底的背侧上。前述反射层设置于基底的前侧上且具有抛物面。前述彩色滤光层设置于介电层上。前述微透镜结构设置于彩色滤光层上。
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公开(公告)号：CN112635497A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010082250.X
申请日：2020-02-07
申请人： 晶相光电股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 提供一种影像感测器结构及其形成方法，影像感测器结构包含：基底，具有第一导电型态；第一井区和第二井区，设置于基底中且彼此分开；隔离区，设置于第一井区中；栅极，设置于基底上且于第一井区和第二井区之间；以及嵌入式光二极管，设置于基底中且于第一井区和第二井区之间，其中嵌入式二极管包含：第一掺杂区，设置于基底中且具有第一掺杂浓度及第一导电型态；以及第二掺杂区，设置于第一掺杂区下且具有第二掺杂浓度及与第一导电型态相反的第二导电型态，其中第一掺杂浓度和第二掺杂浓度中至少一者为不均匀且第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN108110018B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201611128163.3
申请日：2016-12-09
申请人： 晶相光电股份有限公司
发明人： 姚裕源
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明提供一种影像感测装置，包括：一基板；一第一光电转换单元，设置于该基板中；一第二光电转换单元，设置于该基板中；一第三光电转换单元，设置于该基板中，其中该第二光电转换单元位于该第一光电转换单元与该第三光电转换单元之间；多个绝缘结构，设置于该基板中，位于所述光电转换单元之间；一第一掺杂区，形成于该基板中，位于所述多个绝缘结构下方，并延伸于该第三光电转换单元下方；以及一第二掺杂区，形成于该基板中，位于部分的该第一掺杂区下方，并延伸于该第二光电转换单元下方。
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公开(公告)号：CN111697012A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910299928.7
申请日：2019-04-15
申请人： 晶相光电股份有限公司
发明人： 李柏叡
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本揭露提供一种影像感测器及其制造方法。影像感测器包括半导体基板、第一环形掺杂区、第二环形掺杂区、环形隔离区、光电转换区、电压转换区以及栅极结构。第一环形掺杂区设置在半导体基板中，并且包括第一类型掺杂物。第二环形掺杂区设置在半导体基板中，并且在第一环形掺杂区上方，第二环形掺杂区包括第二类型掺杂物。环形隔离区设置在半导体基板中，并且在第二环形掺杂区上方。光电转换区设置在环形隔离区内的半导体基板中。电压转换区设置在环形隔离区内的半导体基板中。栅极结构设置在半导体基板上。
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