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公开(公告)号：CN1899750A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610115404.0
申请日：2003-01-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B23K35/26 , B23K35/02 , H05K3/3484
Abstract: 本发明涉及主要由8.8－5.0质量％的Zn、0.05－0质量％的Bi和余量的Sn以及不可避免的杂质组成的焊料金属。
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公开(公告)号：CN105308828A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480010432.9
申请日：2014-06-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的电力传输体，用于无线供电，具有导电体片材在电介质中沿厚度方向层叠成多层、并且在层间存在电介质的构造，占据不同层的导电体片材彼此电连接，通过这样的电力传输体，提供一种在利用电场耦合方式进行无线供电的情况下能够提高电力传输效率并且容易确保电极所设置部位处的绝缘性的电力传输体等。
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公开(公告)号：CN101696351B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200910224857.0
申请日：2007-01-31
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C09K3/16 , C08L65/00 , C09D5/24 , G03F7/093 , C08L2666/04 , C08L2666/22 , C08L2666/26
Abstract: 本发明的目的是提供在化学放大型抗蚀剂中对于防止起雾及膜减薄现象表现优异的抗静电剂、使用了该抗静电剂的抗静电膜及被覆物。本发明涉及含有水溶性导电高分子、溶剂及水溶性高分子的抗静电剂。通过将水溶性高分子，特别是具有多肽键的水溶性高分子化合物或具有聚乙烯基结构的特定水溶性高分子与水溶性导电高分子并用，即使使用可便宜而简单地赋予对抗蚀剂的涂布性的表面活性剂，也能在保持涂布性的同时，抑制对抗蚀剂产生的影响(抗蚀剂溶解或抗蚀剂显影后形成的抗蚀剂起雾和膜减薄现象)。通过含有表面活性剂来提高涂布性的抗静电剂对于化学放大型抗蚀剂和非化学放大型抗蚀剂均有抑制混合的效果。
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公开(公告)号：CN100393832C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200380102127.4
申请日：2003-10-31
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C09G1/02 , H01L21/321 , H01L21/768
Abstract: 使用一种金属抛光组合物抛光金属层，所述金属抛光组合物包含在金属层表面聚合、在金属层表面形成聚合物膜的成膜化合物。金属层的抛光方法包括使用金属抛光组合物的金属层的抛光和平面化的步骤。晶片的生产方法，其中包括形成于含有凹槽的晶片顶部以填充和覆盖凹槽的金属层的抛光和平面化的步骤。根据该组合物和抛光方法，避免了凹陷以改善平面性，并且抛光金属层、特别是铜层的抛光速率得到了改善，从而使低压下的膏抛光速率成为可能，由于也防止了金属层的划伤，产能得到了提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101016447B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710006980.6
申请日：2007-01-31
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C09K3/16 , C08L65/00 , C09D5/24 , G03F7/093 , C08L2666/04 , C08L2666/22 , C08L2666/26
Abstract: 本发明的目的是提供在化学放大型抗蚀剂中对于防止起雾及膜减薄现象表现优异的抗静电剂、使用了该抗静电剂的抗静电膜及被覆物。本发明涉及含有水溶性导电高分子、溶剂及水溶性高分子的抗静电剂。通过将水溶性高分子，特别是具有多肽键的水溶性高分子化合物或具有聚乙烯基结构的特定水溶性高分子与水溶性导电高分子并用，即使使用可便宜而简单地赋予对抗蚀剂的涂布性的表面活性剂，也能在保持涂布性的同时，抑制对抗蚀剂产生的影响(抗蚀剂溶解或抗蚀剂显影后形成的抗蚀剂起雾和膜减薄现象)。通过含有表面活性剂来提高涂布性的抗静电剂对于化学放大型抗蚀剂和非化学放大型抗蚀剂均有抑制混合的效果。
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公开(公告)号：CN101696351A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910224857.0
申请日：2007-01-31
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C09K3/16 , C08L65/00 , C09D5/24 , G03F7/093 , C08L2666/04 , C08L2666/22 , C08L2666/26
Abstract: 本发明的目的是提供在化学放大型抗蚀剂中对于防止起雾及膜减薄现象表现优异的抗静电剂、使用了该抗静电剂的抗静电膜及被覆物。本发明涉及含有水溶性导电高分子、溶剂及水溶性高分子的抗静电剂。通过将水溶性高分子，特别是具有多肽键的水溶性高分子化合物或具有聚乙烯基结构的特定水溶性高分子与水溶性导电高分子并用，即使使用可便宜而简单地赋予对抗蚀剂的涂布性的表面活性剂，也能在保持涂布性的同时，抑制对抗蚀剂产生的影响(抗蚀剂溶解或抗蚀剂显影后形成的抗蚀剂起雾和膜减薄现象)。通过含有表面活性剂来提高涂布性的抗静电剂对于化学放大型抗蚀剂和非化学放大型抗蚀剂均有抑制混合的效果。
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公开(公告)号：CN1899750B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610115404.0
申请日：2003-01-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B23K35/26 , B23K35/02 , H05K3/3484
Abstract: 本发明涉及主要由8.8-5.0质量％的Zn、0.05-0质量％的Bi和余量的Sn以及不可避免的杂质组成的焊料金属。
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公开(公告)号：CN101016447A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710006980.6
申请日：2007-01-31
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C09K3/16 , C08L65/00 , C09D5/24 , G03F7/093 , C08L2666/04 , C08L2666/22 , C08L2666/26
Abstract: 本发明的目的是提供在化学放大型抗蚀剂中对于防止起雾及膜减薄现象表现优异的抗静电剂、使用了该抗静电剂的抗静电膜及被覆物。本发明涉及含有水溶性导电高分子、溶剂及水溶性高分子的抗静电剂。通过将水溶性高分子，特别是具有多肽键的水溶性高分子化合物或具有聚乙烯基结构的特定水溶性高分子与水溶性导电高分子并用，即使使用可便宜而简单地赋予对抗蚀剂的涂布性的表面活性剂，也能在保持涂布性的同时，抑制对抗蚀剂产生的影响(抗蚀剂溶解或抗蚀剂显影后形成的抗蚀剂起雾和膜减薄现象)。通过含有表面活性剂来提高涂布性的抗静电剂对于化学放大型抗蚀剂和非化学放大型抗蚀剂均有抑制混合的效果。
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