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公开(公告)号：CN110878424A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910826014.1
申请日：2019-09-03
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 保坂祥辉
Abstract: 一种SiC单晶的制造方法和被覆构件，所述SiC单晶的制造方法具有收纳工序、设置工序和晶体生长工序，所述收纳工序中，在能够收纳原料且能够在与所述原料相对的位置安置籽晶的坩埚的内底部收纳粉末的原料，所述设置工序中，在所述原料的所述籽晶侧的第1面的至少一部分配置多孔体，所述晶体生长工序中，通过加热使所述原料升华，在所述籽晶上生长晶体，所述多孔体由碳或碳化物构成，所述多孔体的孔径小于所述原料的平均粒径。
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公开(公告)号：CN110424051A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910311630.3
申请日：2019-04-18
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的遮蔽构件被配置于单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，所述晶体生长用容器具备位于内底部的原料收纳部、以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华并在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件配置于所述原料收纳部与所述晶体设置部之间，所述遮蔽构件具备多个遮蔽板，在从所述晶体设置部俯视时，所述多个遮蔽板没有间隙地排列。
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公开(公告)号：CN110424051B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201910311630.3
申请日：2019-04-18
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的遮蔽构件被配置于单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，所述晶体生长用容器具备位于内底部的原料收纳部、以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华并在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件配置于所述原料收纳部与所述晶体设置部之间，所述遮蔽构件具备多个遮蔽板，在从所述晶体设置部俯视时，所述多个遮蔽板没有间隙地排列。
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