轴瓦复合涂层加工方法及基于PVD技术的轴瓦复合涂层

    公开(公告)号:CN112111717A

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN202010902092.8

    申请日:2020-09-01

    发明人: 钱涛 陈骞 钱政羽

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/02 C23C14/16

    摘要: 本发明揭示了轴瓦复合涂层加工方法及基于PVD技术的轴瓦复合涂层,其中加工方法包括对轴瓦进行清洗;在轴瓦表面沉积金属底层;在金属底层上交替沉积镶嵌层和功能层至涂层总厚度达到目标值且最上层为功能层,镶嵌层的厚度不超过200纳米且其材料不同于功能层的材料,功能层的厚度不超过3微米;在功能层上沉积镶嵌层之前及在镶嵌层上沉积功能层之前,将轴瓦降温至160℃以下。本方案通过设置纳米镶嵌层、功能层的厚度以及增加冷却工艺,通过多种措施的结合,最大程度降低复合涂层中晶粒尺寸地过渡增大及柱状晶的形成,使得最终获得的复合涂层具备晶粒细化,材料密度高、表面粗糙度低、表面结构致密及在较大厚度时能具有较好结合力的优点。

    磁控溅射和离子束集成式镀膜设备

    公开(公告)号:CN213142170U

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN202020947870.0

    申请日:2020-05-29

    发明人: 钱政羽 钱涛 陈骞

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/46

    摘要: 本实用新型揭示了磁控溅射和离子束集成式镀膜设备,包括真空室、工件台、偏压电源,所述真空室上设置有分布于工件台四周的磁控溅射靶及离子束源,所述离子束源均成对设置,每对离子束源分布于工件台相对的两侧。本方案将磁控溅射与离子束整合在一套设备中,相对布置的离子束源可以从工件的两侧提供离子源,从而可以有效避免离子束分布不均匀造成的不同距离的工件沉积质量不一的问题,保证了薄膜的一致性,改善沉积的稳定性。同时,使用离子束辅助磁控溅射,改变了非平衡磁控溅射工作压力范围,解决了溅射靶不能在较低的气压下稳定工作的弊端,使得其能在更高的真空度下稳定工作。