公开(公告)号：CN1311226C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN00117951.9

申请日：2000-03-29

申请人： 易通公司

发明人： J·P·赫布 ,  A·沙基

IPC分类号： G01J5/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L22/26 ,  G01J5/0003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一个用于测出在热加工装置(22)的加热室(74)内的工件(w)在加工过程中的反射率的系统(10)和方法。该系统首先直接求出在热加工装置的加热室(74)外部的工件反射率，然后通过使外部晶片反射率与在加热室内的晶片反射辐射强度相关，求出在热加工装置(22)的加热室(74)内的工件在加工过程中的反射率。

公开(公告)号：CN1272556A

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN00117951.9

申请日：2000-03-29

申请人： 易通公司

发明人： J·P·赫布 ,  A·沙基

IPC分类号： C23C14/56 ,  C23C16/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L22/26 ,  G01J5/0003 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一个用于测出在热加工装置(22)的加热室(74)内的工件(w)在加工过程中的反射率的系统(10)和方法。该系统首先直接求出在热加工装置的加热室(74)外部的工件反射率,然后通过使外部晶片反射率与在加热室内的晶片反射辐射强度相关,求出在热加工装置(22)的加热室(74)内的工件在加工过程中的反射率。