公开(公告)号：CN115747551B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202211653107.7

申请日：2022-12-22

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 陶静梅 ,  龙然 ,  易健宏 ,  鲍瑞 ,  刘意春 ,  李凤仙 ,  李才巨

IPC: C22C1/05 ,  C22C9/00 ,  C22C32/00 ,  C22C26/00 ,  B22F3/105 ,  B22F9/04 ,  C01B32/949 ,  C01B32/168 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开一种引入碳化钨界面相制备碳纳米管增强铜基复合材料的方法，属于金属基复合材料制备领域。本发明以碳纳米管分散液、偏钨酸铵（AMT）、甲烷（CH4）和铜粉为原料，首先采用浸渍沉积的方法在CNTs表面沉积AMT，随后利用气相渗碳合成工艺在CNTs表面合成碳化钨纳米颗粒，并结合机械球磨和放电等离子烧结（SPS）工艺制备经碳化钨修饰的碳纳米管增强的铜基复合材料（WC@CNTs/Cu）。本发明以CH4作为合成碳化钨界面相的碳源，以外加碳源的方式避免了增强体制备过程中对CNTs结构完整性的破坏，保证WC@CNTs在复合材料中增强效应的有效发挥，使通过该方法制备的铜基复合材料具备良好的综合性能。

公开(公告)号：CN115747551A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211653107.7

申请日：2022-12-22

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 陶静梅 ,  龙然 ,  易健宏 ,  鲍瑞 ,  刘意春 ,  李凤仙 ,  李才巨

IPC: C22C1/05 ,  C22C9/00 ,  C22C32/00 ,  C22C26/00 ,  B22F3/105 ,  B22F9/04 ,  C01B32/949 ,  C01B32/168 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开一种引入碳化钨界面相制备碳纳米管增强铜基复合材料的方法，属于金属基复合材料制备领域。本发明以碳纳米管分散液、偏钨酸铵（AMT）、甲烷（CH4）和铜粉为原料，首先采用浸渍沉积的方法在CNTs表面沉积AMT，随后利用气相渗碳合成工艺在CNTs表面合成碳化钨纳米颗粒，并结合机械球磨和放电等离子烧结（SPS）工艺制备经碳化钨修饰的碳纳米管增强的铜基复合材料（WC@CNTs/Cu）。本发明以CH4作为合成碳化钨界面相的碳源，以外加碳源的方式避免了增强体制备过程中对CNTs结构完整性的破坏，保证WC@CNTs在复合材料中增强效应的有效发挥，使通过该方法制备的铜基复合材料具备良好的综合性能。