公开(公告)号：CN118660472A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410730178.5

申请日：2024-06-06

申请人： 昆明理工大学

发明人： 朱焘 ,  祝星 ,  张良 ,  王国华 ,  洪彰华 ,  朱勇 ,  常雄 ,  谢哲文 ,  周梦妮 ,  和湖雪

IPC分类号： H10K30/88 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00

摘要： 本发明公开了一种改性钙钛矿薄膜的宽带隙钙钛矿太阳能电池。从下到上依次包括ITO导电玻璃层，[2‑(3,6‑二甲氧基‑9H‑咔唑‑9‑基)乙基]膦酸空穴传输层，Cs0.05(FA0.77MA0.23)0.95Pb(I0.77Br0.23)3宽带隙钙钛矿薄膜，由2，4‑二氨基‑6‑氟嘧啶和苯乙基碘化铵的共混配体形成宽带隙钙钛矿的钝化层，[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸异甲酯的电子传输层，2,9‑二甲基‑4,7‑联苯‑1,10‑邻二氮杂菲的空穴阻挡层和金属Ag的电极层。本方案通过共混配体改性钙钛矿层，从而调控钙钛矿薄膜的生长，钝化了未配位的Pb2+，减少了界面缺陷，极大地抑制了宽带隙钙钛矿的离子迁移；同时，共混配体对宽带隙钙钛矿中卤素的结合能力进一步增强，减缓了宽带隙钙钛矿其固有的相分离缺陷。