一种电子束降束诱导定向凝固制备5N高纯铜的方法

    公开(公告)号:CN117418123A

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202311418814.2

    申请日:2023-10-30

    Abstract: 本发明属于有色金属提纯技术领域,具体公开一种电子束降束诱导定向凝固制备5N高纯铜的方法,包括将经预处理的4N阴极铜装入电子束熔炼炉送料机构并使炉体各部分独立且抽真空;开启高压电源和电子枪预热,1号电子枪按150~200kW且0.5~1kV对4N阴极铜加热熔化并流入结晶器中;待铜液装满结晶器2/3时开启2号和3号电子枪且按50~100kW、20~40kV使结晶器内铜液保持熔融;铜液装满结晶器后降低3号电子枪功率至5kW;待结晶器内熔体开始结晶时缓慢拉锭进入冷却区域;待铸锭全部进入冷却区域后,将铸锭杂质富集区域切除即得到5N高纯铜。本发明具有工艺简单、生产周期短、杂质富集区域小、氧氢含量低特点。

    一种赤泥土壤化处理方法

    公开(公告)号:CN115259624B

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202211086372.1

    申请日:2022-09-06

    Abstract: 本发明公开了一种赤泥土壤化处理方法,包括前处理、主反应步骤,具体包括:将待处理赤泥的含水率调整为40~70%得到物料a;将物料a中加入含硅化合物搅拌得到混合料浆b;将混合料浆b于温度10~30℃下经充分搅拌后,于温度40~80℃静置反应得到目标物含硅肥料土壤。本发明可以有效降低赤泥碱度,并且增加赤泥中的有效硅含量,赤泥回归地球后可以作为对植物生长有利的含硅土壤使用,并且工艺简单,能耗低、处理成本低。

    一种从辉锑矿中制备锑酸钠的方法

    公开(公告)号:CN112779425A

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN202010428141.9

    申请日:2020-05-20

    Abstract: 本发明属于冶金技术领域,具体涉及一种从辉锑矿中制备锑酸钠的方法。本发明提供的从辉锑矿中制备锑酸钠的方法,包括以下步骤:提供辉锑矿粉料;利用混合液对所述辉锑矿粉料进行浸出,固液分离后得到浸出液;所述混合液包括硫化钠、氢氧化钠和水,所述浸出液包括Na3SbS3;将所述浸出液与碱混合,在氧化性气氛下进行沉锑反应,得到锑酸钠。实验结果表明,采用本发明提供的方法,锑的浸出率达到96.31~99.56%,沉锑率达到95.87~99.32%,三价锑含量仅0.05~0.18%,白度达到85~96%。

    废弃电池回收再生制备锂电池三元正极材料的方法

    公开(公告)号:CN110265659A

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201910485491.6

    申请日:2019-06-05

    Abstract: 本发明属于电池回收技术领域,具体涉及一种废弃电池回收再生制备锂电池三元正极材料的方法。从废锂离子电池正极极片上刮下废三元正极材料粉末,煅烧,得到前驱体;将前驱体与锂盐混合,球磨,得到混合粉末;将混合粉末煅烧,即得。本发明采用煅烧和球磨相结合的方法重生废三元正极材料,煅烧可以除去材料中混有的粘结性衰减的PVDF和导电性减弱的科琴黑等杂质,得到洁净的三元材料前驱体,为接下来的实验步骤奠定了良好基础;球磨可以使三元材料前驱体粉末与锂盐充分混合,使其更加均匀;球磨之后再煅烧,可以使Li嵌入到三元材料前驱体的晶格中去,重生为三元正极材料,其形貌、结构以及电化学性能都有较大的提升。

    一种冶金烟气脱硫石膏重结晶法制备高纯二水硫酸钙晶须的方法

    公开(公告)号:CN104846440B

    公开(公告)日:2017-11-24

    申请号:CN201510286169.2

    申请日:2015-05-29

    Abstract: 本发明公开了一种冶金烟气脱硫石膏重结晶法制备高纯二水硫酸钙晶须的方法,该方法包括:冶金烟气脱硫石膏酸洗,去除少量碳酸钙或氧化钙和可溶性杂质;含盐的酸溶液溶解石膏,作为制备高纯二水硫酸钙晶须原料;添加媒晶剂控制硫酸钙晶须可控生长,以形成长径比可控、晶体形貌完整的硫酸钙晶须,过滤,干燥即得二水硫酸钙晶须。本发明在常压温和条件下,利用重结晶原理,实现冶金烟气脱硫石膏制备高附加值硫酸钙晶须的资源化利用。本发明所用原料易得,生产工艺条件简单,高纯晶须附加值高,所生产的二水硫酸钙晶须具有直径细小,长径比高,形貌完整均匀、性能稳定的特点,可作为增强材料用于塑料、橡胶、造纸和陶瓷等行业添加剂,具有广阔的应用前景。

    一种6N高纯铜锭的制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117265591A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311270199.5

    申请日:2023-09-28

    Abstract: 本发明涉及一种6N高纯铜锭的制备方法,是采用2N铜为原料,经两步电解一步熔炼制备得到。本发明电解过程制备的6N级超高纯铜的杂质元素包括超高纯铜中Li、Be、B、C、N、O、F、Na、Mg、Al、Si、P、S、Cl、K、Ca、Sc、Ti、V、Se、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge等共75种元素,杂质元素总含量小于1.517ppm,主金属元素铜的含量高于99.999%。电解液中杂质元素含量对阴极铜中杂质含量的影响较大,主要通过加入盐酸调整电解液中氯离子的浓度及溶液预压滤处理,降低超高纯铜中银及其它杂质离子的含量。

    一种区域熔炼制备5N高纯铜的方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117210697A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311418834.X

    申请日:2023-10-30

    Abstract: 本发明属于有色金属提纯技术领域,具体公开一种区域熔炼制备5N高纯铜的方法,包括将4N阴极铜进行多道次区域熔炼,所述多道次区域熔炼过程中的熔炼气氛采用氩气与氢气的混合气体,所述混合气体中氢气体积占比为5~30%。本发明通过采用氩气与氢气的混合气体作为多道次区域熔炼的熔炼气氛,在充分利用分凝效应以去除低熔点易挥发金属杂质的同时,熔炼气氛中的氢气作为还原性气体同时还能去除金属杂质和非金属杂质,特别是能显著降低氧含量,从而可制备出非金属杂质及除Fe以外的金属杂质含量较低的5N高纯铜,具有工艺简单、蒸发损耗小、杂质含量低、特别是氧含量低的特点。

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