专利检索 ap:("昆山兴凯半导体材料有限公司") AND inv:"薛宜琛" 第 1 页

1.

发明公开
一种核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物的制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118580571A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410778707.9

申请日：2024-06-17

申请人： 昆山兴凯半导体材料有限公司

发明人： 林建彰 , 李进 , 陈迎鑫 , 石培培 , 薛宜琛

IPC分类号： C08K9/10 , C08K3/38

摘要： 本发明涉及高导热填料技术领域，具体涉及一种高导热核壳结构氮化硼@偏氟乙烯基聚合物填料的制备方法，本发明通过创新性地相分离方法合成出具有核壳结构氮化硼，成功地将偏氟乙烯基共聚物修饰在BN的界面上，增加二维高导热填料在高分子基体当中的相容性；因此本发明中制备得到的高导热填料在电子封装系统、高压电绝缘设备和高介电电容器等领域具有广泛的应用前景。