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公开(公告)号：CN106887335B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710137086.6
申请日：2014-09-17
Applicant: 旭化成株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明提供太阳能电池及其制造方法、半导体元件及其制造方法，其能够利用非真空体系工艺进行制造、能够表现出更优异的光电转换效率。一种太阳能电池，其至少具有第一半导体层(140)和第二半导体层(130)，第一半导体层(140)是包含平均粒径为1nm以上500nm以下的金属氧化物颗粒和相对介电常数为2以上的化合物的层。例如，第一半导体层(140)中的化合物是相对介电常数为2以上1000以下的有机化合物，第一半导体层(140)中的有机化合物的含量为10质量％以上90质量％以下。
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公开(公告)号：CN106887335A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710137086.6
申请日：2014-09-17
Applicant: 旭化成株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2031 , H01G9/0029 , H01G9/204 , H01G9/2045 , H01L51/4226 , H01L51/4233 , Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供太阳能电池及其制造方法、半导体元件及其制造方法，其能够利用非真空体系工艺进行制造、能够表现出更优异的光电转换效率。一种太阳能电池，其至少具有第一半导体层(140)和第二半导体层(130)，第一半导体层(140)是包含平均粒径为1nm以上500nm以下的金属氧化物颗粒和相对介电常数为2以上的化合物的层。例如，第一半导体层(140)中的化合物是相对介电常数为2以上1000以下的有机化合物，第一半导体层(140)中的有机化合物的含量为10质量％以上90质量％以下。
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公开(公告)号：CN104471679B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201380037609.X
申请日：2013-07-18
Applicant: 旭化成株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/208 , H01L31/04 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明通过以包含无机半导体颗粒和介电常数为2以上的化合物或对于无机半导体颗粒具有还原力的化合物的涂布液进行涂布来制造半导体膜。太阳能电池(400)在基板(410)上具备阳极层(420)、由本发明的p型半导体膜构成的层(430)、包含介电常数为2以上的化合物的结合界面层(440)、由本实施方式的n型半导体膜构成的层(450)以及阴极层(460)。本发明能够提供一种发电效率优异且低成本的具备结合界面层的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN110459622A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910715826.9
申请日：2013-07-18
Applicant: 旭化成株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0264 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/072 , H01L31/074 , H01L31/0749 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体膜和半导体元件。本发明的半导体膜通过以包含无机半导体颗粒和介电常数为2以上的化合物或对于无机半导体颗粒具有还原力的化合物的涂布液进行涂布来制造。太阳能电池(400)在基板(410)上具备阳极层(420)、由本发明的p型半导体膜构成的层(430)、包含介电常数为2以上的化合物的结合界面层(440)、由本实施方式的n型半导体膜构成的层(450)以及阴极层(460)。本发明能够提供一种发电效率优异且低成本的具备结合界面层的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN105556681B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201480051204.6
申请日：2014-09-17
Applicant: 旭化成株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L31/0256 , H01L31/18
CPC classification number: H01G9/2031 , H01G9/0029 , H01G9/204 , H01G9/2045 , H01L51/4226 , H01L51/4233 , Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种能够利用非真空体系工艺进行制造、能够表现出更优异的光电转换效率的太阳能电池及其制造方法、半导体元件及其制造方法。一种太阳能电池，其至少具有第一半导体层(140)和第二半导体层(130)，第一半导体层(140)是包含平均粒径为1nm以上500nm以下的金属氧化物颗粒和相对介电常数为2以上的化合物的层。例如，第一半导体层(140)中的化合物是相对介电常数为2以上1000以下的有机化合物，第一半导体层(140)中的有机化合物的含量为10质量％以上90质量％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105556681A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480051204.6
申请日：2014-09-17
Applicant: 旭化成株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L31/0256 , H01L31/18
CPC classification number: H01G9/2031 , H01G9/0029 , H01G9/204 , H01G9/2045 , H01L51/4226 , H01L51/4233 , Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种能够利用非真空体系工艺进行制造、能够表现出更优异的光电转换效率的太阳能电池及其制造方法、半导体元件及其制造方法。一种太阳能电池，其至少具有第一半导体层(140)和第二半导体层(130)，第一半导体层(140)是包含平均粒径为1nm以上500nm以下的金属氧化物颗粒和相对介电常数为2以上的化合物的层。例如，第一半导体层(140)中的化合物是相对介电常数为2以上1000以下的有机化合物，第一半导体层(140)中的有机化合物的含量为10质量％以上90质量％以下。
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公开(公告)号：CN104471679A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380037609.X
申请日：2013-07-18
Applicant: 旭化成株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/208 , H01L31/04
Abstract: 本发明通过以包含无机半导体颗粒和介电常数为2以上的化合物或对于无机半导体颗粒具有还原力的化合物的涂布液进行涂布来制造半导体膜。太阳能电池(400)在基板(410)上具备阳极层(420)、由本发明的p型半导体膜构成的层(430)、包含介电常数为2以上的化合物的结合界面层(440)、由本实施方式的n型半导体膜构成的层(450)以及阴极层(460)。本发明能够提供一种发电效率优异且低成本的具备结合界面层的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN110870392A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880046322.6
申请日：2018-07-18
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够大大简化制造工序、导电性图案区域之间的电绝缘性优异、并且可靠性高的具有导电性图案区域的结构体。具有导电性图案区域的结构体(10)具备支撑体(11)、以及配置在支撑体所构成的面上的层(14)，在层(14)中，包含氧化铜和含磷有机物的绝缘区域(12)与包含铜的导电性图案区域(13)相互邻接地配置。另外，层积体具备支撑体、配置在支撑体所构成的面上的包含氧化铜和磷的涂布层、以及按照覆盖涂布层的方式配置的树脂层。
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公开(公告)号：CN101197424B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200710197103.1
申请日：2007-12-04
Applicant: 旭化成株式会社
Inventor： 汤本彻
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/006 , H01L51/0085 , H01L51/5052 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的课题在于提供通过涂布法制造具有叠层结构的电子器件的方法及适合于该制造方法的涂布液。本发明涉及层叠有至少两层以上含有有机物的层的电子器件的制造方法，该方法包括在基板上直接或通过介有其它层来涂布含有有机物及金属和/或金属氧化物的涂布液，从而制膜形成混合层的第一工序和在通过该第一工序制膜形成的混合层上直接涂布含有有机物的涂布液，从而制膜形成有机层的第二工序。由此，可以通过简单的涂布法容易地制造具有层叠结构的电子器件。
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