-
公开(公告)号：CN114512265A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210194921.0
申请日：2018-03-15
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 本发明涉及分散体以及使用其的带导电性图案的结构体的制造方法和带导电性图案的结构体，其提供一种分散体，其分散稳定性高，在基板上形成电阻低的导电性图案。分散体(1)包含氧化铜(2)、分散剂(3)、以及还原剂，还原剂的含量为下式(1)的范围，分散剂的含量为下式(2)的范围内。通过包含还原剂，在烧制中促进氧化铜向铜的还原，促进铜的烧结。0.0001≦(还原剂质量/氧化铜质量)≦0.10(1)0.0050≦(分散剂质量/氧化铜质量)≦0.30(2)。
-
公开(公告)号：CN107614614B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201680031360.5
申请日：2016-06-02
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: C08L71/02 , C08K3/08 , C08K3/22 , C09D5/24 , C09D7/61 , C09D7/65 , C09D17/00 , C09D201/00 , H01B1/22 , H01B13/00 , H05K1/09 , H05K3/12 , H01B5/14
Abstract: 一种分散体，其包含颗粒与分散剂，所述颗粒选自金属颗粒和金属氧化物颗粒，该分散体的特征在于，上述分散剂具有能够与上述颗粒结合或吸附的化学结构，并且，上述分散剂包含低分子量分散剂和高分子量分散剂，在利用凝胶渗透色谱法测定的聚乙二醇换算的分子量分布曲线中，所述低分子量分散剂在分子量为31以上且小于1,000的区域具有至少1个峰，所述高分子量分散剂在分子量为1,000以上40,000以下的区域具有至少1个峰。
-
公开(公告)号：CN114512265B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202210194921.0
申请日：2018-03-15
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 本发明涉及分散体以及使用其的带导电性图案的结构体的制造方法和带导电性图案的结构体，其提供一种分散体，其分散稳定性高，在基板上形成电阻低的导电性图案。分散体(1)包含氧化铜(2)、分散剂(3)、以及还原剂，还原剂的含量为下式(1)的范围，分散剂的含量为下式(2)的范围内。通过包含还原剂，在烧制中促进氧化铜向铜的还原，促进铜的烧结。0.0001≦(还原剂质量/氧化铜质量)≦0.10(1)0.0050≦(分散剂质量/氧化铜质量)≦0.30(2)。
-
公开(公告)号：CN110366761B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201880013603.1
申请日：2018-03-15
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 本发明提供一种分散体，其分散稳定性高，在基板上形成电阻低的导电性图案。分散体(1)包含氧化铜(2)、分散剂(3)、以及还原剂，还原剂的含量为下式(1)的范围，分散剂的含量为下式(2)的范围内。通过包含还原剂，在烧制中促进氧化铜向铜的还原，促进铜的烧结。0.0001≦(还原剂质量/氧化铜质量)≦0.10(1);0.0050≦(分散剂质量/氧化铜质量)≦0.30(2)。
-
公开(公告)号：CN110366761A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201880013603.1
申请日：2018-03-15
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 本发明提供一种分散体，其分散稳定性高，在基板上形成电阻低的导电性图案。分散体(1)包含氧化铜(2)、分散剂(3)、以及还原剂，还原剂的含量为下式(1)的范围，分散剂的含量为下式(2)的范围内。通过包含还原剂，在烧制中促进氧化铜向铜的还原，促进铜的烧结。0.0001≦(还原剂质量/氧化铜质量)≦0.10(1)0.0050≦(分散剂质量/氧化铜质量)≦0.30(2)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1929927A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007572.1
申请日：2005-03-09
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: B05D7/24 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/00
CPC classification number: C07B63/00 , H01L51/0003 , H01L51/0007 , H01L51/0054 , H01L51/0055 , H01L51/0056 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供具有高移动度的有机半导体薄膜及其制造方法，以及用于该有机半导体薄膜通过湿法工艺制造的材料及其制造方法。另外，提供电子特性优良的有机半导体元件。把高纯度戊省与1，2，4－三氯苯的混合物加热，配制均匀溶液。把形成了作为源·漏电极的金电极图案的硅基板加热至100℃，在其表面展开戊省溶液。通过使1，2，4－三氯苯蒸发，形成戊省薄膜，制成晶体管。
-
公开(公告)号：CN107614614A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680031360.5
申请日：2016-06-02
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: C08L71/02 , C08K3/08 , C08K3/22 , C09D5/24 , C09D7/61 , C09D7/65 , C09D17/00 , C09D201/00 , H01B1/22 , H01B13/00 , H05K1/09 , H05K3/12 , H01B5/14
Abstract: 一种分散体，其包含颗粒与分散剂，所述颗粒选自金属颗粒和金属氧化物颗粒，该分散体的特征在于，上述分散剂具有能够与上述颗粒结合或吸附的化学结构，并且，上述分散剂包含低分子量分散剂和高分子量分散剂，在利用凝胶渗透色谱法测定的聚乙二醇换算的分子量分布曲线中，所述低分子量分散剂在分子量为31以上且小于1,000的区域具有至少1个峰，所述高分子量分散剂在分子量为1,000以上40,000以下的区域具有至少1个峰。
-
公开(公告)号：CN105393312B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201480040975.5
申请日：2014-07-22
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: H01B5/14 , C09C1/62 , C09D11/03 , C09D11/52 , H01B1/20 , H01L21/288 , H01L29/786 , H05K1/09 , H05K3/12
CPC classification number: H01L29/42372 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C09C1/627 , C09D11/037 , C09D11/52 , H01B1/20 , H01B1/22 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/7869 , H05K1/092
Abstract: 本发明提供一种铜和/或铜氧化物分散体，其能够形成对于经时变化显示出优异的稳定性且为微细的图案状的导电膜；提供一种导电膜层积体，其是将使用所述铜和/或铜氧化物分散体制造的导电膜层积而得到的；以及提供一种导电膜晶体管。所述铜和/或铜氧化物分散体含有0.50质量％以上60质量％以下的铜和/或铜氧化物微粒以及下述(1)～(4)：(1)表面能调节剂；(2)具有磷酸基的有机化合物；(3)20℃的蒸汽压为0.010Pa以上且小于20Pa的溶剂0.050质量％以上10质量％以下；和(4)20℃的蒸汽压为20Pa以上150hPa以下的溶剂，并且，所述导电膜层积体是将含有铜的导电膜层积于基板上而得到的。
-
公开(公告)号：CN105393312A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480040975.5
申请日：2014-07-22
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: H01B5/14 , C09C1/62 , C09D11/03 , C09D11/52 , H01B1/20 , H01L21/288 , H01L29/786 , H05K1/09 , H05K3/12
CPC classification number: H01L29/42372 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C09C1/627 , C09D11/037 , C09D11/52 , H01B1/20 , H01B1/22 , H01L29/41725 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/7869 , H05K1/092
Abstract: 本发明提供一种铜和/或铜氧化物分散体，其能够形成对于经时变化显示出优异的稳定性且为微细的图案状的导电膜；提供一种导电膜层积体，其是将使用所述铜和/或铜氧化物分散体制造的导电膜层积而得到的；以及提供一种导电膜晶体管。所述铜和/或铜氧化物分散体含有0.50质量％以上60质量％以下的铜和/或铜氧化物微粒以及下述(1)～(4)：(1)表面能调节剂；(2)具有磷酸基的有机化合物；(3)20℃的蒸汽压为0.010Pa以上且小于20Pa的溶剂0.050质量％以上10质量％以下；和(4)20℃的蒸汽压为20Pa以上150hPa以下的溶剂，并且，所述导电膜层积体是将含有铜的导电膜层积于基板上而得到的。
-
公开(公告)号：CN1929927B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200580007572.1
申请日：2005-03-09
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: B05D7/24 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L51/00
CPC classification number: C07B63/00 , H01L51/0003 , H01L51/0007 , H01L51/0054 , H01L51/0055 , H01L51/0056 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供具有高移动度的有机半导体薄膜及其制造方法，以及用于该有机半导体薄膜通过湿法工艺制造的材料及其制造方法。另外，提供电子特性优良的有机半导体元件。把高纯度戊省与1，2，4-三氯苯的混合物加热，配制均匀溶液。把形成了作为源·漏电极的金电极图案的硅基板加热至100℃，在其表面展开戊省溶液。通过使1，2，4-三氯苯蒸发，形成戊省薄膜，制成晶体管。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.021 seconds)
