公开(公告)号：CN1929927A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200580007572.1

申请日：2005-03-09

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 大野荣一 ,  夏日穣 ,  南方尚

IPC: B05D7/24 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

CPC classification number: C07B63/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供具有高移动度的有机半导体薄膜及其制造方法，以及用于该有机半导体薄膜通过湿法工艺制造的材料及其制造方法。另外，提供电子特性优良的有机半导体元件。把高纯度戊省与1，2，4－三氯苯的混合物加热，配制均匀溶液。把形成了作为源·漏电极的金电极图案的硅基板加热至100℃，在其表面展开戊省溶液。通过使1，2，4－三氯苯蒸发，形成戊省薄膜，制成晶体管。

公开(公告)号：CN1929927B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200580007572.1

申请日：2005-03-09

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 大野荣一 ,  夏日穣 ,  南方尚

IPC: B05D7/24 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

CPC classification number: C07B63/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供具有高移动度的有机半导体薄膜及其制造方法，以及用于该有机半导体薄膜通过湿法工艺制造的材料及其制造方法。另外，提供电子特性优良的有机半导体元件。把高纯度戊省与1，2，4-三氯苯的混合物加热，配制均匀溶液。把形成了作为源·漏电极的金电极图案的硅基板加热至100℃，在其表面展开戊省溶液。通过使1，2，4-三氯苯蒸发，形成戊省薄膜，制成晶体管。