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公开(公告)号：CN111308403A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911273832.X
申请日：2019-12-12
Applicant: TDK株式会社 , 旭化成微电子株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明的磁传感器装置具备复合芯片部件和安装于复合芯片部件上的传感器芯片。传感器芯片包含：第1磁传感器，检测外部磁场的平行于X方向的方向的分量；第2磁传感器，检测外部磁场的平行于Y方向的方向的分量；以及第3磁传感器，检测外部磁场的平行于Z方向的方向的分量。复合芯片部件包含：第1磁场发生器，产生平行于X方向的方向的附加磁场分量；第2磁场发生器，产生平行于Y方向的方向的附加磁场分量；以及第3磁场发生器，产生平行于Z方向的方向的附加磁场分量。
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公开(公告)号：CN111308403B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201911273832.X
申请日：2019-12-12
Applicant: TDK株式会社 , 旭化成微电子株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明的磁传感器装置具备复合芯片部件和安装于复合芯片部件上的传感器芯片。传感器芯片包含：第1磁传感器，检测外部磁场的平行于X方向的方向的分量；第2磁传感器，检测外部磁场的平行于Y方向的方向的分量；以及第3磁传感器，检测外部磁场的平行于Z方向的方向的分量。复合芯片部件包含：第1磁场发生器，产生平行于X方向的方向的附加磁场分量；第2磁场发生器，产生平行于Y方向的方向的附加磁场分量；以及第3磁场发生器，产生平行于Z方向的方向的附加磁场分量。
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公开(公告)号：CN111566495B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201880084087.1
申请日：2018-12-26
Applicant: 旭化成微电子株式会社 , TDK株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种对磁阻元件给予均匀的校准磁场并且抑制磁传感器芯片的尺寸的磁传感器模块。本发明提供磁传感器模块，其具有：IC芯片，其具有第1线圈；以及磁传感器芯片，其配置于所述IC芯片的面上，具有检测第1轴向的磁气的第1磁传感器，所述IC芯片的平面形状将所述磁传感器芯片的平面形状包在其中，所述第1线圈具有包括3个以上的边的平面形状，并形成为，在所述平面形状的至少一边的剖视视角下，覆盖所述第1磁传感器的所述一边方向的区域。
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公开(公告)号：CN111566495A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201880084087.1
申请日：2018-12-26
Applicant: 旭化成微电子株式会社 , TDK株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种对磁阻元件给予均匀的校准磁场并且抑制磁传感器芯片的尺寸的磁传感器模块。本发明提供磁传感器模块，其具有：IC芯片，其具有第1线圈；以及磁传感器芯片，其配置于所述IC芯片的面上，具有检测第1轴向的磁气的第1磁传感器，所述IC芯片的平面形状将所述磁传感器芯片的平面形状包在其中，所述第1线圈具有包括3个以上的边的平面形状，并形成为，在所述平面形状的至少一边的剖视视角下，覆盖所述第1磁传感器的所述一边方向的区域。
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公开(公告)号：CN111527415A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201880084137.6
申请日：2018-12-26
Applicant: 旭化成微电子株式会社 , TDK株式会社
Abstract: 本发明在于提供一种减少了来自线圈的发热对磁传感器的影响的磁传感器模块。根据以往的方法，在磁传感器芯片上，与多个磁传感器相对应地需要多个温度测量电路，在磁传感器芯片还需要多个用于与IC芯片相连接的焊盘。因而，存在搭载磁传感器的磁传感器芯片的尺寸增大并且制造成本升高的问题。本发明提供一种磁传感器模块，其具有：IC芯片，其具有第1线圈、与第1线圈的一端相连接的第1焊盘以及与第1线圈的另一端相连接的第2焊盘；磁传感器芯片，其配置于IC芯片的面上，具有检测第1轴向的磁气的第1磁传感器；第1外部输出端子；第1导线，其将第1焊盘和第1外部输出端子连接；第2外部输出端子；以及第2导线，其将第2焊盘和第2外部输出端子连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112946538B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202011338458.X
申请日：2020-11-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的一种实施方式的磁场检测装置具备磁阻效应元件和导线。磁阻效应元件包含在第一轴向上延伸的磁阻效应膜，磁阻效应膜具有第一前端部、第二前端部和中间部，中间部夹在第一前端部和第二前端部之间。导线具有各自在第二轴向上延伸的第一部分和第二部分，并且通过供给电流可以对磁阻效应膜形成沿着第三轴向施加的感应磁场，第二轴向对第一轴向倾斜，第三轴向与第二轴向正交。在此，第一部分和第二部分设置为在第四轴向上分别与第一前端部和第二前端部互相重叠，第四轴向与第二轴向和第三轴向的双方正交。
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公开(公告)号：CN114114101B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202110240071.9
申请日：2021-03-04
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁传感器，其具备：磁阻效应元件，其包含在第一方向上相互相对的第一侧面及第二侧面、以及在实质上与第一方向正交的第二方向上相互相对的第一端面及第二端面，该磁阻效应元件在第一方向上具有灵敏度轴；第一轭部，其与磁阻效应元件的第一侧面相邻地设置；以及第一偏置磁场产生部，其与磁阻效应元件的第一端面相邻地设置，第一偏置磁场产生部设置为可对磁阻效应元件及第一轭部施加偏置磁场。
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公开(公告)号：CN112946543B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202011348315.7
申请日：2020-11-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的一种实施方式的磁场检测装置具备磁阻效应元件和螺旋线圈。磁阻效应元件包含在第一轴向上延伸的磁阻效应膜。螺旋线圈具有并联部，并且设置为沿着第三轴向行进同时旋绕于磁阻效应元件的周围，并联部包含第一部分和第二部分，第一部分和第二部分各自在第二轴向上延伸同时在第三轴向上相邻且并联，第二轴向对第一轴向倾斜，第三轴向与第一轴向和第二轴向的双方不同。磁阻效应膜配置为在第四轴向上与第一部分和第二部分的双方互相重叠，第四轴向与第二轴向和第三轴向的双方正交。螺旋线圈通过供给电流，可以对磁阻效应膜形成沿着第三轴向施加的感应磁场。
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公开(公告)号：CN109307793B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201810843960.2
申请日：2018-07-27
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种偏差推定装置及方法、磁传感器的修正装置以及电流传感器。该偏差推定装置的偏差推定部求出磁传感器的检测值的偏差的推定值。偏差推定部包含初始函数保持部、函数确定部、推定值决定部。初始函数保持部保持初始函数，所述初始函数用于以基准温度时的偏差即基准偏差为第一变量，以温度为第二变量，来确定与第一及第二变量相对应的推定值。函数确定部通过基准偏差，确定初始函数的第一变量的值，将初始函数变成用于决定与第二变量的值相对应的推定值的推定值决定函数。推定值决定部通过温度信息，确定推定值决定函数的第二变量的值，由此决定推定值。
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