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公开(公告)号：CN113348526B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202080011077.2
申请日：2020-02-05
申请人： 日立金属株式会社
发明人： 萩原和弘
IPC分类号： H01F41/02 , H01F1/153 , H01F27/245
摘要： 本发明提供纳米结晶软磁性合金薄带的卷绕磁芯的制造方法，具备：第一热处理工序，在该工序中，在卷绕可纳米晶化的非晶质的软磁性合金薄带而形成的卷绕磁芯的内空间配置有用于将卷绕磁芯保持为非圆形的第一内形矫正夹具的状态下，以300℃以上且低于晶化开始温度的温度对卷绕磁芯进行热处理；以及第二热处理工序，在该工序中，拆下第一内形矫正夹具，并在将至少一个第二内形矫正夹具配置于卷绕磁芯的内空间的状态下，以晶化开始温度以上的温度对卷绕磁芯进行纳米晶化的热处理，第二内形矫正夹具的与延伸方向垂直的截面比第一内形矫正夹具的与延伸方向垂直的截面小，在第二热处理工序的一部分期间，对卷绕磁芯施加磁场。
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公开(公告)号：CN109716463B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201780056925.X
申请日：2017-09-27
申请人： 日立金属株式会社
摘要： 在纳米晶合金磁芯的制造方法中，对于通过卷绕或层叠而得到的非晶合金带材的磁芯，利用热处理使其发生纳米晶化，该纳米晶合金磁芯的制造方法包括进行一次热处理的一次热处理工序，和在一次热处理工序后进行的二次热处理工序，其中，在一次热处理中，使磁芯在无磁场环境下从比晶化开始温度低的温度升温至晶化开始温度以上，二次热处理工序包括二次温度保持工序和之后的二次降温工序，在二次温度保持工序中，将磁芯在无磁场环境下保持于200℃以上、小于晶化开始温度的一定的温度，在二次降温工序中，一边在与磁路正交的方向上施加磁场一边进行降温。
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公开(公告)号：CN1977467B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580021446.1
申请日：2005-06-29
申请人： 日立金属株式会社
IPC分类号： H04B1/44
CPC分类号： H04B1/406 , H04B1/0057 , H04B1/006
摘要： 本发明提供一种高频电路，具有天线端子和适当切换连接4个输入输出的开关电路，第一接收用输出经滤波器电路与第一通信系统的接收电路相连，第二接收用输出经滤波器电路与第二通信系统的接收电路相连，第一发送用输入经功率放大器电路与第一通信系统的发送电路相连，第二发送用输入经功率放大器电路与第二通信系统的发送电路相连，在天线与发送用输入或接收用输出之间的任一个以上路径上具有带通滤波器电路，该高频电路还包括具有监视功率放大器电路的输出功率的检波电压端子的检波电路。
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公开(公告)号：CN115910591A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310136005.6
申请日：2020-02-05
申请人： 日立金属株式会社
发明人： 萩原和弘
摘要： 本发明提供纳米结晶软磁性合金薄带的卷绕磁芯的制造方法，具备：第一热处理工序，在该工序中，在卷绕可纳米晶化的非晶质的软磁性合金薄带而形成的卷绕磁芯的内空间配置有用于将卷绕磁芯保持为非圆形的第一内形矫正夹具的状态下，以300℃以上且低于晶化开始温度的温度对卷绕磁芯进行热处理；以及第二热处理工序，在该工序中，拆下第一内形矫正夹具，并在将至少一个第二内形矫正夹具配置于卷绕磁芯的内空间的状态下，以晶化开始温度以上的温度对卷绕磁芯进行纳米晶化的热处理，第二内形矫正夹具的与延伸方向垂直的截面比第一内形矫正夹具的与延伸方向垂直的截面小，在第二热处理工序的一部分期间，对卷绕磁芯施加磁场。
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公开(公告)号：CN109716463A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780056925.X
申请日：2017-09-27
申请人： 日立金属株式会社
摘要： 在纳米晶合金磁芯的制造方法中，对于通过卷绕或层叠而得到的非晶合金带材的磁芯，利用热处理使其发生纳米晶化，该纳米晶合金磁芯的制造方法包括进行一次热处理的一次热处理工序，和在一次热处理工序后进行的二次热处理工序，其中，在一次热处理中，使磁芯在无磁场环境下从比晶化开始温度低的温度升温至晶化开始温度以上，二次热处理工序包括二次温度保持工序和之后的二次降温工序，在二次温度保持工序中，将磁芯在无磁场环境下保持于200℃以上、小于晶化开始温度的一定的温度，在二次降温工序中，一边在与磁路正交的方向上施加磁场一边进行降温。
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公开(公告)号：CN106575567A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580041111.X
申请日：2015-07-27
申请人： 日立金属株式会社
发明人： 萩原和弘
摘要： 一种变流器用芯的制造方法，包括：准备厚度为15μm以下的能够纳米结晶化的Fe基非晶合金带卷绕或叠层而形成的芯材的步骤；在芯材的磁路方向施加100A/m以上的磁场的同时进行芯材的热处理形成芯的纵向磁场中热处理步骤；和在纵向磁场中热处理步骤之后，在与芯的磁路方向垂直的方向施加磁场的同时进行芯的热处理而形成芯的横向磁场中热处理步骤。在被施加频率f＝50Hz、振幅H＝1.0A/m的交流磁场的状态下，设在温度T(℃)测定的芯的振幅导磁率为μr(T)，设由纵向磁场中热处理步骤得到的μr(T)为μr(max)(T)时，通过横向磁场中热处理步骤，将μr(25)调整为0.4×μr(max)(25)与0.9×μr(max)(25)之间的值。
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公开(公告)号：CN101160734B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200680012083.X
申请日：2006-04-11
申请人： 日立金属株式会社
IPC分类号： H04B1/44
CPC分类号： H04B1/006
摘要： 一种多频带高频电路，具有：多频带天线；第一及第二通信系统的发送电路(11bg-T、11a-T)及接收电路(11bg-R、11a-R)；及切换与第三通信系统的收发(BLT-TR)的连接的第一开关(SPDT1)；配置在(SPDT1)的后级，将高频信号分波给(11a-R)和(11bg-R)或(BLT-TR)的分波电路(Dip)；和将高频信号分波给(11bg-T)和(11a-T)的分波电路(Dip2)，分波电路(Dip1)和(Dip2)分别具有低频侧滤波器及高频侧滤波器，在分波电路(Dip1)的低频侧滤波器的后级具有带通滤波器(BPF1)，在带通滤波器(BPF1)的后级具备第二开关(SPDT2)。
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公开(公告)号：CN100547941C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200480037079.X
申请日：2004-12-13
申请人： 日立金属株式会社
IPC分类号： H04B1/40
CPC分类号： H04B1/0057
摘要： 本发明提供一种多频带高频电路，其具有：开关电路，具备切换多个多频带天线与发送侧电路以及接收侧电路的连接的开关元件；以及第一信号分离电路，配置在高频开关电路与发送侧电路之间，按照通信系统的频带将高频信号分离；以及第二信号分离电路，其配置在高频开关与接收侧电路之间，按照通信系统的频带将高频信号分离，其中第一以及第二信号分离电路分别具有低频侧滤波电路与高频侧滤波电路，高频开关电路所具有的第一至第四端口，分别，与第一多频带天线、第二多频带天线、第一信号分离电路、第二信号分离电路连接控制开关元件，选择多频带天线，切换被选择的多频带天线与发送侧电路或接收侧电路的连接。
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公开(公告)号：CN101073208A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200580041644.4
申请日：2005-12-06
申请人： 日立金属株式会社
IPC分类号： H04B1/44
CPC分类号： H04B1/12 , H04B1/006 , H04B1/3805 , H04B1/406 , H04B1/44
摘要： 本发明提供一种高频电路，包括：高频开关电路，其切换天线与第一通信系统的发送侧电路、第一通信系统的接收侧电路、以及第二通信系统的收发电路的三条连接；第一带通滤波器，其配置在所述天线与所述高频开关电路之间；和平衡－不平衡转换电路，其配置在所述第一通信系统的接收侧电路与所述高频开关电路之间。
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公开(公告)号：CN113348526A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202080011077.2
申请日：2020-02-05
申请人： 日立金属株式会社
发明人： 萩原和弘
IPC分类号： H01F41/02 , H01F1/153 , H01F27/245
摘要： 本发明提供纳米结晶软磁性合金薄带的卷绕磁芯的制造方法，具备：第一热处理工序，在该工序中，在卷绕可纳米晶化的非晶质的软磁性合金薄带而形成的卷绕磁芯的内空间配置有用于将卷绕磁芯保持为非圆形的第一内形矫正夹具的状态下，以300℃以上且低于晶化开始温度的温度对卷绕磁芯进行热处理；以及第二热处理工序，在该工序中，拆下第一内形矫正夹具，并在将至少一个第二内形矫正夹具配置于卷绕磁芯的内空间的状态下，以晶化开始温度以上的温度对卷绕磁芯进行纳米晶化的热处理，第二内形矫正夹具的与延伸方向垂直的截面比第一内形矫正夹具的与延伸方向垂直的截面小，在第二热处理工序的一部分期间，对卷绕磁芯施加磁场。
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