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公开(公告)号：CN116490970B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202180079384.9
申请日：2021-11-24
申请人： 日立能源有限公司
IPC分类号： H01L23/473
摘要： 指定了一种功率半导体部件(1)，具有：至少两个功率半导体模块(2)，每个功率半导体模块连接到冷却结构(4)；和冷却室(3)，具有入口端口(11)和出口端口(12)，其中，冷却室(3)适合于冷却室(3)内的冷却剂物质从入口端口(11)到出口端口(12)的流动方向，至少两个冷却结构(4)中的每一者沿流动方向的方向连续地设置在冷却室(3)内，使得至少两个冷却结构(4)中的每一者在冷却室(3)中形成流阻区域(14)，冷却室(3)包括至少一个旁路区域(17)，至少一个旁路区域(17)平行连接到至少两个流阻区域(14)中更靠近入口端口(11)的至少一者，并且冷却室(3)适合于平行连接到至少一个旁路区域(17)且更靠近入口端口(11)的至少一个流阻区域(14)的流速，该流速小于至少两个流阻区域(14)中更靠近出口端口(12)的一者的流速。
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公开(公告)号：CN116830247B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202280013845.7
申请日：2022-01-27
申请人： 日立能源有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/40 , H01L23/544 , H01L23/495 , H01L23/473
摘要： 指定了一种功率半导体模块(1)，所述功率半导体模块包括：‑至少一个半导体芯片(5)，所述半导体芯片连接到冷却结构(3)，‑至少两个功率端子(7)，所述功率端子与所述至少一个半导体芯片(5)电接触，以及‑壳体(23)，用于功率半导体芯片(5)和所述至少两个功率端子(7)，其中，‑所述至少两个功率端子(7)中的每一个具有沿侧向方向突出超过壳体(23)的突出部分(9)，并且‑所述至少两个突出部分(9)中的每一个设置有第一对齐孔(10)。进一步地，指定了一种功率半导体器件和一种用于制造功率半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN117397022A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280037304.8
申请日：2022-04-20
申请人： 日立能源有限公司
IPC分类号： H01L23/40
摘要： 指定了一种夹持元件(9)，被配置成按压到包括模制件(4)的至少一个功率半导体模块(1)的底板(2)，该夹持元件包括：‑至少一个接触区域(10)，被配置成直接接触底板(2)的至少一个夹持区域(7)，所述至少一个夹持区域没有模制件(4)，以及‑至少一个凹部(11)，设置在底板中，其中，‑凹部(11)和接触区域(10)被配置成面向底板。进一步地，指定了一种用于制造功率半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN117242556A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280028261.7
申请日：2022-03-29
申请人： 日立能源有限公司
IPC分类号： H01L21/56
摘要： 提供了一种功率半导体模块(10)。功率半导体模块(10)包括载体(1)、至少一个模块组件(3)、外壳框架(4)和封装体(2)，其中模块组件(3)布置在载体(1)上并且被外壳框架(4)横向围绕。外壳框架(4)布置在载体(1)上并且垂直地突出超过载体(1)和模块组件(3)。外壳框架(4)具有外壳框架开口(4C)，模块组件(3)布置在外壳框架开口(4C)中，其中外壳框架开口(4C)填充有封装体(2)。外壳框架(4)具有至少一个未被封装体(2)覆盖的外侧表面(4S)，其中封装体(2)是模制体，该模制体是由模制材料制成的主体并且通过模制工艺形成。此外，提供了一种用于生产该功率半导体模块(10)的方法。
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公开(公告)号：CN117223100A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202280028630.2
申请日：2022-03-11
申请人： 日立能源有限公司
IPC分类号： H01L23/373
摘要： 本公开涉及一种用于功率模块(210)的基板(200)，基板包括具有绝缘层的载体片材(201)。基板(200)还包括：形成在载体片材(201)的第一表面上的第一金属化层(202)，该第一金属化层(202)包括用于安装功率模块(210)的至少一个半导体芯片(204)的安装区域(207)；以及第二金属化层(205)，其形成在载体片材(201)的第二表面上并包括用于将基板(200)附接到平坦表面的附接区域(206)。第一金属化层(202)的安装区域的至少一部分使用多个第一凹槽(203)而被结构化，所述多个第一凹槽从第一金属化层(202)的外表面延伸到绝缘层以将第一金属化层(202)的单独部分(202a、202b、202c)电分离。第二金属化层(205)的附接区域的至少一部分使用至少一个第二凹槽(211)而被结构化，所述至少一个第二凹槽从第二金属化层(205)的外表面至少部分地延伸到所述至少一个绝缘层。本公开还涉及一种包括此类基板(200)的功率模块(210)和一种用于制造对应的功率模块(210)的方法。
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公开(公告)号：CN117397022B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202280037304.8
申请日：2022-04-20
申请人： 日立能源有限公司
摘要： 指定了一种夹持元件(9)，被配置成按压到包括模制件(4)的至少一个功率半导体模块(1)的底板(2)，该夹持元件包括：‑至少一个接触区域(10)，被配置成直接接触底板(2)的至少一个夹持区域(7)，所述至少一个夹持区域没有模制件(4)，以及‑至少一个凹部(11)，设置在底板中，其中，‑凹部(11)和接触区域(10)被配置成面向底板。进一步地，指定了一种用于制造功率半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113192919B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202110119295.4
申请日：2021-01-28
申请人： 日立能源有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/40
摘要： 本发明涉及一种功率半导体模块(10)，该功率半导体模块包括基板(12)，所述基板至少部分地被封装材料(14)覆盖，其中，所述基板(12)适于通过由夹持部件(28)施加的夹持力(40)连接至散热元件(24)，并且其中，功率半导体模块(10)具有提高的生产能力以及模塑部件的改良的长期可靠性和完整性。
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公开(公告)号：CN118382926A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202280082305.4
申请日：2022-11-30
申请人： 日立能源有限公司
摘要： 功率模块(1)包括至少一个基板(2)、位于基板(2)上的至少一个开关器件(3)、用于向至少一个开关器件(3)供应功率的至少一条功率路径(6)、以及用于控制和/或监测开关器件(3)的至少一条辅助路径(7，10)，其中，该至少一条辅助路径(7，10)包括至少一个连接部分(9，12，17，18，19)，该至少一个连接部分包括并联电连接的两个或更多个连接器(8，11，20)，其中，功率模块(1)包括具有对应的辅助路径(7，10)的多个开关器件(3)，其中，对应的辅助路径(7，10)中的至少一个对应的辅助路径包括具有并联连接器(8，11，20)的连接部分(9，12，17，18，19)，并且其中，对应的辅助路径(7，10)中的至少另一个对应的辅助路径包括具有并联连接器(8，11，20)的连接部分(9，12，17，18，19)或者包括具有单一连接器的连接部分(13)，其中，对应的辅助路径(7，10)中的连接器(8，11，20)的数量不同。作为示例，连接部分中的并联连接器的数量可以使得例如辅助路径的寄生电感(如栅极电感)与连接部分中仅具有单一连接器的辅助路径的电感相比降低至少5％。本发明还公开了一种获得所述器件的方法。
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公开(公告)号：CN221885091U
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202090000775.8
申请日：2020-07-24
申请人： 日立能源有限公司
摘要： 本发明涉及一种功率半导体模块(10)，包括基底(12)，该基底具有承载至少一个电路(18)的第一侧(14)以及与第一侧(14)相反地定位的第二侧(16)，其中至少一个电路(18)至少部分地由封装材料(20)封装，该封装材料直接与电路(18)接触并覆盖电路，其中，封装材料(20)包括至少一种环氧制模料，其中，环氧制模料包括至少一种纤维组分，其中，纤维组分的长度是纤维组分的直径的至少5倍。
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公开(公告)号：CN221352757U
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202290000529.1
申请日：2022-06-30
申请人： 日立能源有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/373 , H01L25/07 , H01L21/60 , H01L23/49
摘要： 提供了一种功率模块(10)，其包括衬底(2)、电子部件(3)和电连接件(4)，其中，功率模块进一步包括第一连接层(5B)和第二连接层(5C)。衬底(2)具有第一金属化层(21)和第二金属化层(22)，该第二金属化层通过分离沟槽(2T)与第一金属化层(21)空间上分离。第一连接层(5B)沿着竖直方向形成在衬底(2)与电子部件(3)之间。电子部件(3)是半导体芯片并通过作为图案化烧结连接层的第一连接层(5B)来电和热连接到第一金属化层(21)，该第一连接层在衬底(2)与电子部件(3)之间形成烧结连接部。在俯视图中，烧结连接的区域(50)部分地被烧结材料覆盖，其中，未被覆盖的子区域(50U)由区域(50)的一个或几个外边缘(50E)界定。未被覆盖的子区域(50U)与相应的所述烧结连接的区域(50)的表面比在10％与75％之间，包括端值。电连接件(4)通过作为另一个图案化烧结连接层的第二连接层(5C)电连接到电子部件(3)。此外，提供了一种用于制造此类功率模块(10)的方法。
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