公开(公告)号：CN107110802B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201580069924.X

申请日：2015-12-02

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 小埜和夫 ,  宇佐川利幸

IPC: G01N27/00 ,  G01K7/01 ,  H01L21/336 ,  H01L21/761 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明目的在于使FET型氢传感器的传感信号低噪声化。为了解决上述问题，本发明的传感系统的一个方面中，在衬底上由FET构成参照器件和传感器件，并且将两者的阱电位电隔离。

公开(公告)号：CN107110802A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580069924.X

申请日：2015-12-02

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 小埜和夫 ,  宇佐川利幸

IPC: G01N27/00 ,  G01K7/01 ,  H01L21/336 ,  H01L21/761 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明目的在于使FET型氢传感器的传感信号低噪声化。为了解决上述问题，本发明的传感系统的一个方面中，在衬底上由FET构成参照器件和传感器件，并且将两者的阱电位电隔离。