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公开(公告)号:CN113853522A
公开(公告)日:2021-12-28
申请号:CN202080037882.2
申请日:2020-05-19
Applicant: 日立安斯泰莫株式会社
Abstract: 本发明的电流检测装置的磁屏蔽部(3u、3v)中形成有弯曲部(30u、30v),使得在形成开口部(5u)的端部(6u)附近,随着接近端部(6u),开口部(5u)的开口面积逐渐变大。当着眼于U相和其相邻相V相时,由于在V相导体(Bv)中流过的电流的影响,磁场(Bvu)从V相向U相输入到磁屏蔽部(3u),但磁场(Bvu)被弯曲部(30u、30v)所引导,并集中到磁屏蔽部(3u)的开口部(5u)的端部(6u)。即,由于弯曲部(30u、30v)之间的空隙较窄,因此局部磁阻变小,磁通能集中在弯曲部(30u、30v),并且能减少流入磁屏蔽部(3u)内部的磁通。因此,磁检测元件(2u)不容易受到来自相邻相的磁场的影响。