公开(公告)号：CN105070657B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201510505083.4

申请日：2010-08-16

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 金丸真美子 ,  岛田友和 ,  筱田隆

IPC: H01L21/321 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472

Abstract: 本发明涉及一种CMP研磨液，所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此，可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层问绝缘膜的CMP研磨液，以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。

公开(公告)号：CN105070657A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510505083.4

申请日：2010-08-16

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 金丸真美子 ,  岛田友和 ,  筱田隆

IPC: H01L21/321 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472

Abstract: 本发明涉及一种CMP研磨液，所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此，可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层问绝缘膜的CMP研磨液，以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。

公开(公告)号：CN109312156A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780033444.7

申请日：2017-05-30

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 登内骏介 ,  岛田友和 ,  弹正原和俊 ,  福田富男 ,  垣谷稔

IPC: C08L79/00 ,  B32B5/28 ,  B32B15/08 ,  B32B15/088 ,  C08G73/00 ,  C08J5/24 ,  C08L15/00 ,  C08L35/06 ,  H05K1/03

Abstract: 一种热固化性树脂组合物，含有：(A)在1分子中具有至少2个N－取代马来酰亚胺基的马来酰亚胺化合物(a1)与在1分子中具有至少2个伯氨基的胺化合物(a2)的加成反应物；(B)热塑性弹性体；和(C)含有来自芳香族乙烯基化合物的结构单元和来自羧酸酐的结构单元的共聚树脂。

公开(公告)号：CN102449747B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080022988.1

申请日：2010-08-16

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 金丸真美子 ,  岛田友和 ,  筱田隆

IPC: H01L21/32 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C09K3/1472

Abstract: 本发明涉及一种CMP研磨液，所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此，可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层间绝缘膜的CMP研磨液，以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。