公开(公告)号：CN102690607B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201210144194.3

申请日：2008-02-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 天野仓仁 ,  樱田刚史 ,  安西创 ,  筱田隆 ,  野部茂

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液及其应用。所述金属用研磨液含有研磨粒、氧化金属溶解剂、有机溶剂和水，所述研磨粒包括平均2次粒径为5～39nm的第一研磨粒和平均2次粒径为40～300nm的第二研磨粒，所述金属用研磨液的pH为2～5。

公开(公告)号：CN101611476B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200880005185.8

申请日：2008-02-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 天野仓仁 ,  樱田刚史 ,  安西创 ,  筱田隆 ,  野部茂

IPC: H01L21/321 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种金属用研磨液，其含有研磨粒、氧化金属溶解剂和水，其特征在于，所述研磨粒包括两种以上平均2次粒径不同的研磨粒，使用该金属用研磨液可以提供层间绝缘膜的研磨速度大，且被研磨面的平坦性高的研磨方法。另外，由此提供一种在微细化、薄膜化、尺寸精度以及电特性上优异，可靠性高，且适于低成本的半导体装置的研磨方法。