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公开(公告)号：CN111052419B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201780094174.0
申请日：2017-08-30
IPC: H01L33/52
Abstract: 发光装置(1)具备基台(30)、倒装安装于基台(30)上的氮化物半导体发光元件(10)、和密封氮化物半导体发光元件(10)的非晶质氟树脂。发光装置(1)具备防止因发光装置(1)的出厂后的热处理所致的非晶质氟树脂的形状变化的形状变化防止层(60)，形状变化防止层(60)由固化有热固化性树脂或紫外线固化树脂的层构成，该经固化的层直接被覆非晶质氟树脂的表面。
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公开(公告)号：CN111316454B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201780096506.9
申请日：2017-11-02
Abstract: 一种紫外线发光装置，其具备：基台、经倒装片安装于基台上的氮化物半导体紫外线发光元件、及密封氮化物半导体紫外线发光元件并将自该氮化物半导体紫外线发光元件射出的光聚焦或扩散的透镜。透镜由聚合物或共聚物的结构单位具有含氟脂肪族环结构且末端官能团为全氟烷基的非晶质氟树脂构成，该非晶质氟树脂的密度大于2.11g/cm3。
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公开(公告)号：CN111316454A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201780096506.9
申请日：2017-11-02
Abstract: 一种紫外线发光装置，其具备：基台、经倒装片安装于基台上的氮化物半导体紫外线发光元件、及密封氮化物半导体紫外线发光元件并将自该氮化物半导体紫外线发光元件射出的光聚焦或扩散的透镜。透镜由聚合物或共聚物的结构单位具有含氟脂肪族环结构且末端官能团为全氟烷基的非晶质氟树脂构成，该非晶质氟树脂的密度大于2.11g/cm3。
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公开(公告)号：CN108140703B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201580083867.0
申请日：2015-10-27
Abstract: 氮化物半导体紫外线发光装置(1)通过将氮化物半导体紫外线发光元件(10)倒装芯片安装在基台(30)上，并通过末端官能基为全氟烷基的非晶质氟树脂进行树脂密封而成，该氮化物半导体紫外线发光元件具备蓝宝石基板(11)、层叠在蓝宝石基板(11)表面上的AlGaN系半导体的半导体层叠部(12)、n电极(13)、p电极(14)、以及形成在蓝宝石基板(11)背面上的使紫外线透过的背面覆盖层(15)。背面覆盖层(15)具有使蓝宝石基板(11)的背面的一部分露出的开口部(16)，开口部(16)配置为均匀地分散或分布在所述蓝宝石基板的背面上，开口部(16)的与蓝宝石基板(11)的背面垂直的剖面形状具有接近所述背面的部位的开口宽度比远离所述背面的部位的开口宽度大的部分，背面覆盖层(15)的表面被所述非晶质氟树脂覆盖，开口部(16)的内部被所述非晶质氟树脂覆盖填充。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111052419A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201780094174.0
申请日：2017-08-30
IPC: H01L33/52
Abstract: 发光装置(1)具备基台(30)、倒装片安装于基台(30)上的氮化物半导体发光元件(10)、和密封氮化物半导体发光元件(10)的非晶质氟树脂。发光装置(1)具备防止因发光装置(1)的出厂后的热处理所致的非晶质氟树脂的形状变化的形状变化防止层(60)，形状变化防止层(60)由固化有热固化性树脂或紫外线固化树脂的层构成，该经固化的层直接被覆非晶质氟树脂的表面。
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公开(公告)号：CN107924970B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201680044344.X
申请日：2016-08-02
IPC: H01L33/44 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L33/56
Abstract: 防止伴随紫外线发光动作的起因于填充在电极间的树脂的电特性劣化。一种在基板(12)上具有紫外线发光元件的氮化物半导体晶圆，该紫外线发光元件具备：具有n型AlGaN层(16)、由AlGaN层构成的活性层(17)、p型AlGaN层(19、20)的半导体层叠部(21)；n电极(23)；p电极(22)；保护绝缘膜(24)；第1及第2镀覆电极(25、26)；以及氟树脂膜(27)，在第1区域(R1)的p型AlGaN层上表面形成p电极，在第2区域(R2)的n型AlGaN层上表面形成n电极，保护绝缘膜具有n电极和p电极的至少一部分露出的开口部，第1镀覆电极与第2镀覆电极隔离而与p电极接触，将第1区域(R1)的上表面及外周侧面的整面、与第1区域(R1)相接的第2区域(R2)的一部分覆盖，第2镀覆电极与n电极接触，氟树脂膜(27)将第1及第2镀覆电极的侧壁面及间隙部(31)的底面覆盖。
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公开(公告)号：CN109314167A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780034026.X
申请日：2017-04-10
Abstract: 防止非键合性的非晶态氟树脂的剥离，提供高品质、高可靠度的紫外线发光装置。用非晶态氟树脂(40)密封具备倒装芯片安装于基台(30)上的蓝宝石基板(11)的氮化物半导体紫外线发光元件(10)的紫外线发光装置(1)，其中，蓝宝石基板(11)的背面为外延生长等级的研磨面，或算术平均粗糙度Ra为25nm以上的粗面，且构成非晶态氟树脂(40)的聚合物或共聚物的结构单元具有含氟脂肪族环结构，非晶态氟树脂(40)之中，构成与发光元件(10)直接接触的第1树脂部分的聚合物或共聚物的末端官能团为全氟烷基，该第1树脂部分的重均分子量在蓝宝石基板(11)的背面为上述研磨面的情况下为230000以上，在蓝宝石基板(11)的背面为上述粗面的情况下为160000以上。
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公开(公告)号：CN109314166A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780033986.4
申请日：2017-02-27
IPC: H01L33/56
Abstract: 通过使用非键合性的非晶态氟树脂，防止因光化学反应而引起的电气特性的劣化及非晶态氟树脂的分解等，此外，防止该非晶态氟树脂剥离，提供高品质、高可靠度的紫外线发光装置。氮化物半导体紫外线发光装置(1)具备：基台(30)；在基台(30)上安装了倒装芯片的氮化物半导体紫外线发光元件；以及直接接触氮化物半导体紫外线发光元件并进行被覆的非晶态氟树脂(40)。氮化物半导体紫外线发光元件具备：蓝宝石基板(11)、层叠在蓝宝石基板(11)的主面上的多个AlGaN系半导体层(12)、n电极(13)、以及p电极(14)。非晶态氟树脂(40)的末端官能团为全氟烷基，非晶态氟树脂(40)进入至形成在蓝宝石基板(11)的侧面的凹部的内部。
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公开(公告)号：CN107851693B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201680041909.9
申请日：2016-08-02
Abstract: 防止伴随紫外线发光动作的起因于电极间被填充的树脂的电特性劣化。一种具备绝缘性基材(11)、与在基材(11)的一侧面上被形成的相互地电分离的2个以上金属膜(12、13)而成的基台(10)；金属膜为上面和侧壁面被金或铂族金属覆盖，可以搭载1个以上氮化物半导体发光元件等、整体而言被形成包含2个以上电极垫的规定俯视形状，在基材(11)的一侧面上，沿着不被金属膜(12、13)覆盖的基材(11)的露出面与金属膜(12、13)的侧壁面的边界线，至少，与所述边界线连续的基材(11)的露出面相邻接的2个电极垫所夹的第1部分、和夹着所述第1部分而相对置的金属膜(12、13)的侧壁面，由氟树脂膜(16)覆盖，金属膜(12、13)的上面的至少构成电极垫之处，不被氟树脂膜(16)覆盖。
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