公开(公告)号：CN107851610A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680045200.6

申请日：2016-06-20

Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司

Inventor： 津国和之 ,  井上龙雄 ,  斋藤友和 ,  小笠原树里 ,  殿川孝司 ,  工藤拓夫

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01M10/0431 ,  H01L21/77 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

Abstract: 提供一种能够在多个芯片上同时且均匀地制造氧化物半导体二次电池的制造方法。其为在电路上层叠有层叠第一电极(52)、充电功能层(54、56、58)和第二电极(60)而成的氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，具备：层叠工序，其相对于对应于形成于晶片(20)上的多个芯片22的各芯片(22)的区域不是单个地形成氧化物半导体二次电池、而是相对于对应于多个芯片(22)的区域一体地层叠并形成氧化物半导体二次电池；以及，分割工序，其相对于一体地形成的氧化物半导体二次电池，进行保留对应于各芯片(22)的区域、除去不对应于各芯片(22)的其它区域的图案蚀刻，从而分隔为对应于各芯片(22)的单个氧化物半导体二次电池(50-1、50-2)。

公开(公告)号：CN113424349A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202080010602.9

申请日：2020-01-30

Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司

Inventor： 津国和之 ,  小笠原树里 ,  殿川孝司 ,  加藤宽之

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/36 ,  H01M10/0585

Abstract: 一种具有改善的性能的二次电池。根据本实施例，二次电池(100)包括第一电极(21)、第二电极(22)、设置在第一电极(21)上并包括第一n型氧化物半导体的第一层(11)、设置在第一层(11)上并包括第二n型氧化物半导体材料和第一绝缘材料的第二层(12)、设置在第二层(12)上并且是固体电解质层的第三层(13)以及设置在第三层(13)上并包括六方Ni(OH)2微晶的第四层(14)。