公开(公告)号：CN108138349A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680056284.3

申请日：2016-08-05

Applicant: 日本轻金属株式会社

Inventor： 西川洋介 ,  清水小百合 ,  角慎一郎

IPC: C25D7/00 ,  C25D3/12 ,  C25D5/16 ,  C25D5/30 ,  H01R13/03 ,  H01R43/16

Abstract: 本发明提供能够抑制接触电阻的增加的导电部件及其制造方法。导电部件的特征为在设置于基材1上的接点部2的表面具有Ni镀覆层3，Ni镀覆层3的表面的算术平均粗糙度Sa在20nm以上，藉此解决上述技术问题。Ni镀覆层3的X射线衍射图的Ni(200)面的位置的峰的半高宽优选在0.6°以下，Ni镀覆层3的压痕硬度HIT优选在5000N/mm2以下。

公开(公告)号：CN108138349B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201680056284.3

申请日：2016-08-05

Applicant: 日本轻金属株式会社

Inventor： 西川洋介 ,  清水小百合 ,  角慎一郎

IPC: C25D7/00 ,  C25D3/12 ,  C25D5/16 ,  C25D5/30 ,  H01R13/03 ,  H01R43/16

Abstract: 本发明提供能够抑制接触电阻的增加的导电部件及其制造方法。导电部件的特征为在设置于基材（1）上的接点部（2）的表面具有Ni镀覆层（3），Ni镀覆层（3）的表面的算术平均粗糙度Sa在20nm以上，藉此解决上述技术问题。Ni镀覆层（3）的X射线衍射图的Ni(200)面的位置的峰的半高宽优选在0.6°以下，Ni镀覆层（3）的压痕硬度HIT优选在5000N/mm2以下。