公开(公告)号：CN100423144C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN02811143.5

申请日：2002-05-30

Applicant: 日本贵弥功株式会社

Inventor： 樋口和浩 ,  井上明广 ,  石井明生 ,  三枝一大 ,  畑中一裕

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/055

CPC classification number: H01G9/025 ,  H01G9/055

Abstract: 本发明涉及一种具有低ESR特性的固体电解电容器。对于使用形成固体电解质的电容元件的固体电解电容器，通过把用于电容元件的阳极箔腐蚀后的孔隙率降至51%以下，或把阴极箔腐蚀后的孔隙率降至44%以下，电极箔的导电部分增大而电极箔的电阻量减低，并与低电阻率的固体电解质结合可以得到具有低ESR特性的固体电解电容器。

公开(公告)号：CN1526148A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN02811143.5

申请日：2002-05-30

Applicant: 日本贵弥功株式会社

Inventor： 樋口和浩 ,  井上明广 ,  石井明生 ,  三枝一大 ,  畑中一裕

IPC: H01G9/04 ,  H01G9/055

CPC classification number: H01G9/025 ,  H01G9/055

Abstract: 本发明涉及一种具有低ESR特性的固体电解电容器。对于使用形成固体电解质的电容元件的固体电解电容器，通过把用于电容元件的阳极箔腐蚀后的孔隙率降至51％以下，或把阴极箔腐蚀后的孔隙率降至44％以下，电极箔的导电部分增大而电极箔的电阻量减低，并与低电阻率的固体电解质结合可以得到具有低ESR特性的固体电解电容器。