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公开(公告)号:CN1133478A
公开(公告)日:1996-10-16
申请号:CN95118202.1
申请日:1995-09-28
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01B17/02
Abstract: 悬式绝缘子,具有瓷质绝缘件和通过粘结接合于上述瓷质绝缘件的盖形及销形零件,瓷质绝缘件包括具有顶壁、周壁的中空圆筒状头部,其基体表面施以釉子,周壁的内周面及外周面粘着陶瓷质沙粒,销形零件位于绝缘件头部内,而且包括具有圆弧面的大直径端部,该圆弧面配置成:在轴向拉伸载荷的作用下,能将半径方向的压缩力施加到绝缘件头部,销形件大直径端部的外径D和圆弧面曲率半径R满足下述关系:R/D=1.1-1.3。
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公开(公告)号:CN1011362B
公开(公告)日:1991-01-23
申请号:CN88102595
申请日:1988-04-27
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01B17/02
CPC classification number: H01B17/10
Abstract: 本发明的悬式绝缘子具有一个圆柱形芯体的绝缘部件,一个中央孔内径为D的金属帽。致使绝缘部件的芯体粘结在该金属帽的中央孔中,以及一个粘结在芯体内的金属脚。金属脚具有被粘住的外径为d1的杆部和埋入芯体中端部外径为d2的大直径段。上述这些直径的满足条件是:(d2-d1)/d1≤0.5(D-d2)/-d2/≤1.8
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公开(公告)号:CN1006106B
公开(公告)日:1989-12-13
申请号:CN86103473
申请日:1986-05-22
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 一只悬式防爆绝缘子,包括绝缘子裙、用粘合剂固定在绝缘子裙上的金属帽和金属销钉,在其内部,用合成树脂由气绝缘膜覆盖在金属帽内表面和(或)粘合剂内的金属销钉外表面,该绝缘膜具有20,000到80,000kgf/cm2杨氏弹性模量,其厦度为300到1,500μm。
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公开(公告)号:CN1113230C
公开(公告)日:2003-07-02
申请号:CN98105152.9
申请日:1998-03-27
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor: 野崎宏
Abstract: 将高应力加在悬垂式绝缘子上,根据高应力大小和寿命的关系,推断实际使用状态下的劣化率。将填充了胶合剂的悬垂式绝缘子浸渍在加热到规定温度的水中,加速该胶合剂材料的使用年限,在规定的期间内,在悬垂式绝缘子上施加产生破坏的拉伸负载,测量出到达产生与所施加的拉伸负载的大小对应的破坏的时间,累积破坏概率,根据所累积的破坏概率、拉伸负载的大小和到达产生破坏的时间之间的关系,求出正常工作负载下的悬垂式绝缘子的劣化率。
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公开(公告)号:CN1135647A
公开(公告)日:1996-11-13
申请号:CN96101363.X
申请日:1996-02-07
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 一种在严酷的使用条件下能充分地防止发生电晕放电或RIV的带局部导电釉绝缘子。在作为绝缘部的施釉瓷制绝缘子主体11上,针脚连接件21和帽盖连接件22通过硅酸盐水泥18结合在一起。在绝缘子主体11的绝缘釉层15与硅酸盐水泥18之间的边界区域形成导电釉层19、20。该导电釉层越到伞状部12侧其厚度越平缓地变薄。所形成的各导电釉层的表面电阻为针脚侧19在100~800MΩ范围,帽盖侧20在20~1000MΩ范围。
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公开(公告)号:CN1128080A
公开(公告)日:1996-07-31
申请号:CN95190348.9
申请日:1995-03-28
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01B17/00
Abstract: 本发明的导电绝缘子特征在于:包括一个绝缘子体,一个经高电阻胶合材料连到绝缘子体的金属附件,一个覆盖外露绝缘子体外表面部分的第一导电层,一个设置在埋入胶合材料中的绝缘子体至少一部分外表面上的第二导电层,以一个在第二导电层上形成的比该导电层软且将其表面覆盖的导电覆盖膜。第一导电层对第二导电层导电。本发明导电绝缘子结构简单,易于生产,且能保证高电阻率的胶合材料在电导率在高水平。
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公开(公告)号:CN1073741C
公开(公告)日:2001-10-24
申请号:CN96101363.X
申请日:1996-02-07
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 一种在严酷的使用条件下能充分地防止发生电晕放电或RⅣ的带局部导电釉绝缘子。在作为绝缘部的施釉瓷制绝缘子主体11上,针脚连接件21和帽盖连接件22通过硅酸盐水泥18结合在一起。在绝缘子主体11的绝缘釉层15与硅酸盐水泥18之间的边界区域形成导电釉层19、20。该导电釉层越到伞状部12侧其厚度越平缓地变薄。所形成的各导电釉层的表面电阻为针脚侧19在100~800MΩ范围,帽盖侧20在20~1000MΩ范围。
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