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公开(公告)号：CN102906891A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180024975.2
申请日：2011-05-25
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L41/22 , H01L41/187 , H01L41/25 , H01L41/43 , C04B35/493
CPC classification number: H01L41/33 , C04B35/493 , C04B2235/3206 , C04B2235/3255 , C04B2235/3279 , C04B2235/6025 , C04B2235/768 , H01L41/29 , H01L41/43 , Y10T29/42
Abstract: 一种压电元件的制造方法，具有：使用压电材料，制作包含之后成为烧成压电体的部分的生片A的过程；在该生片A的至少一面上，接合与之后成为烧成压电体的部分相面对的部分成为了开口的生片B，然后进行烧成，得到带有生片B被烧成而形成的加强板的带加强板的烧成压电体的过程；以及在该带加强板的烧成压电体的前述生片A被烧成而形成的部分，形成膜状的电极的过程。根据该压电元件的制造方法，能够得到具备平面度高的、薄的烧成压电体的压电元件。
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公开(公告)号：CN114600237A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080074183.5
申请日：2020-12-03
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明得到一种提高氮化硅陶瓷基板与接合层的密接强度，具有高冷热耐久性但不产生迁移的接合基板。接合基板具备氮化硅陶瓷基板、铜板、接合层以及进入区域。铜板以及接合层被图案形成为给定的形状而配置在氮化硅陶瓷基板的主面上。接合层将铜板与氮化硅陶瓷基板的主面接合。进入区域由从基板主面连续并进入氮化硅陶瓷基板的内部直至3μm以上且20μm以下的深度的一个或多个进入部构成，包含银，在基板主面的每1mm2存在1个以上且30个以下的进入区域。
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公开(公告)号：CN1808733A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510134635.1
申请日：2005-12-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L41/16 , C04B35/499 , C04B35/462 , C04B35/493 , H03H9/17 , B41J2/045
CPC classification number: C04B35/493 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C04B2235/3279 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1875
Abstract: 本发明提供了一种压电元件，该压电元件具有极高压电特性，同时，基体和压电部之间的振动传递性优良，直至达到高电压区域弯曲位移相对电压的直线性高，即使在大的弯曲位移下长期使用时也显示出高的耐久性。本发明的压电元件具备由陶瓷构成的基体2、由其组成以规定的式表示的Pb(Mg、Ni)1/3Nb2/3O3－PbZrO3－PbTiO3三组分固溶系组合物作为主成分的压电陶瓷组合物构成的压电部1以及与压电部1电连接的电极3，压电部1直接或者通过电极3固定在基体2上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110313062B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201780086785.0
申请日：2017-02-23
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够在确保相邻的导体层间的电绝缘性的同时扩大半导体芯片的接合区的绝缘散热基板。所述绝缘散热基板具有：陶瓷基板、以及接合于该陶瓷基板的至少一个主表面上的导体层，上述导体层具有上表面、与上述陶瓷基板接合的下表面、以及连接上表面和下表面的侧面，将导体层与陶瓷基板以与导体层的相对于俯视轮廓的切线的法线方向和厚度方向这两者平行的截面进行观察时，上述上表面的前端与上述下表面的前端相比沿导体层的上述法线方向后退，上述侧面具有向内侧凹陷的弯曲线状的轮廓，所述轮廓具有与上述上表面的前端相比沿导体层的上述法线方向后退的部位，上述上表面和上述侧面的连接部具有内接于上述上表面的前端且能够在上述上表面和上述侧面的内侧形成的圆的最大半径R以平均计为0.1μm≤R≤5μm那样的圆角形状。
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公开(公告)号：CN110313062A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201780086785.0
申请日：2017-02-23
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够在确保相邻的导体层间的电绝缘性的同时扩大半导体芯片的接合区的绝缘散热基板。所述绝缘散热基板具有：陶瓷基板、以及接合于该陶瓷基板的至少一个主表面上的导体层，上述导体层具有上表面、与上述陶瓷基板接合的下表面、以及连接上表面和下表面的侧面，将导体层与陶瓷基板以与导体层的相对于俯视轮廓的切线的法线方向和厚度方向这两者平行的截面进行观察时，上述上表面的前端与上述下表面的前端相比沿导体层的上述法线方向后退，上述侧面具有向内侧凹陷的弯曲线状的轮廓，所述轮廓具有与上述上表面的前端相比沿导体层的上述法线方向后退的部位，上述上表面和上述侧面的连接部具有内接于上述上表面的前端且能够在上述上表面和上述侧面的内侧形成的圆的最大半径R以平均计为0.1μm≤R≤5μm那样的圆角形状。
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公开(公告)号：CN117586041A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311466354.0
申请日：2020-11-30
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 海老个濑隆
IPC: C04B37/02
Abstract: 接合基板具备陶瓷基板、铜板以及接合层。陶瓷基板具备具有最大高度Rz为10μm以下的平坦区域的主面。陶瓷基板具有粒子缺损孔，该粒子缺损孔露出于主面，对主面的一部分赋予比平坦区域的平坦性低的平坦性，并且深度为10μm以上且60μm以下。铜板具备配置于平坦区域上的第一部分和填埋粒子缺损孔的第二部分。接合层具备覆盖平坦区域的第三部分和填埋粒子缺损孔的第四部分，第二部分以及第四部分填埋粒子缺损孔的体积的80％以上。接合层将铜板与主面接合。
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公开(公告)号：CN114599625A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080074175.0
申请日：2020-11-30
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 海老个濑隆
IPC: C04B37/02
Abstract: 接合基板具备陶瓷基板、铜板以及接合层。陶瓷基板具备具有最大高度Rz为10μm以下的平坦区域的主面。陶瓷基板具有粒子缺损孔，该粒子缺损孔露出于主面，对主面的一部分赋予比平坦区域的平坦性低的平坦性，并且深度为10μm以上且60μm以下。铜板具备配置于平坦区域上的第一部分和填埋粒子缺损孔的第二部分。接合层具备覆盖平坦区域的第三部分和填埋粒子缺损孔的第四部分，第二部分以及第四部分填埋粒子缺损孔的体积的80％以上。接合层将铜板与主面接合。
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公开(公告)号：CN102655207A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210050101.0
申请日：2012-02-29
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 海老个濑隆
IPC: H01L41/24
CPC classification number: H01L41/29
Abstract: 本发明涉及端电极形成方法及使用其的压电/电致伸缩元件制造方法。本发明提供一种抑制在形成于陶瓷表面的由包含玻璃成分的电极材料构成的电极的表面上形成端电极后的电极与陶瓷的密合强度的降低，使电极与陶瓷不容易剥离的端电极形成方法。其为在形成于陶瓷表面的、由包含玻璃成分的电极材料构成的电极的表面上，利用镀覆形成用于连接导线的端电极(10)的端电极形成方法。该端电极形成方法包含以下工序：使用pH6～8的镀液，在前述电极的表面上利用镀覆形成第一镀金层的第一镀金层形成工序；在前述第一镀金层的表面上利用镀覆形成镀镍层的镀镍层形成工序；以及在前述镀镍层的表面上利用镀覆形成第二镀金层的第二镀金层形成工序。
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