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公开(公告)号：CN100546041C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200710006305.3
申请日：2004-02-16
申请人： 日本电气硝子株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H01L23/04 , H01L31/0203 , H01L33/00 , H01L21/48 , H01S5/022 , C03B15/00 , C03B18/00 , C03C3/093
摘要： 本发明提供一种半导体封装体用外罩玻璃(10)，是具备了沿板厚方向相面对的第1透光面(10a)及第2透光面(10b)、构成周缘的侧面(10c)的板状玻璃。该外罩玻璃(10)的尺寸为14×16×0.5mm，第1透光面(10a)及第2透光面(10b)为非研磨面，其表面粗糙度(Ra)都在0.5nm以下。
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公开(公告)号：CN1616364A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410092909.0
申请日：2004-11-11
申请人： 日本电气硝子株式会社
摘要： 本发明的课题是提供作为澄清剂不含有As2O3，而且限制了Sb2O3或Sb2O5的含量，同时气泡少的半导体封装用覆层玻璃。本发明的玻璃的特征是，以质量％计，含有SiO258～72％、Al2O30.5～15％、B2O38～18％、碱金属氧化物7.5～20％、碱土类金属氧化物0～20％、ZnO0～10％、Sb2O3+Sb2O50～0.2％、F2+Cl2+C+SO3+SnO20.01～3％，实际上不含As2O3。
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公开(公告)号：CN102046548B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200980119133.8
申请日：2009-06-18
申请人： 日本电气硝子株式会社
发明人： 桥本幸市
CPC分类号： C03C8/02 , C03C8/08 , H01L23/291 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明的半导体密封材料的特征在于，由金属包覆用玻璃构成，该金属包覆用玻璃的应变点为480℃以上，与104dPa·s的粘度相应的温度为1100℃以下，在30～380℃下的热膨胀系数为70×10-7～110×10-7/℃。本发明的半导体密封材料不含对环境有害的物质，具有500℃以上的较高耐热温度，而且，可以密封镀铜铁镍合金等易氧化的金属。
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公开(公告)号：CN100390968C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200480004098.2
申请日：2004-02-16
申请人： 日本电气硝子株式会社
摘要： 本发明提供一种半导体封装体用外罩玻璃(10)，是具备了沿板厚方向相面对的第1透光面(10a)及第2透光面(10b)、构成周缘的侧面(10c)的板状玻璃。该外罩玻璃(10)的尺寸为14×16×0.5mm，第1透光面(10a)及第2透光面(10b)为非研磨面，其表面粗糙度(Ra)都在0.5nm以下。
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公开(公告)号：CN1359864A
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：CN01140396.9
申请日：2001-12-21
申请人： 日本电气硝子株式会社
摘要： 本发明提供了一种能够满足①基本上应不含Li、Na或K,②应能在低温下封入,③热膨胀系数应与钼电极一致,④封入时应没有来自玻璃的气体的发生,⑤体积电阻率应高,⑥应能高精度地成形为管状,等要求的半导体封入用管玻璃。其特征在于,基于质量百分率具有SiO220～50%,Al2O31～12%,B2O36～25%,PbO30～55%,Cs2O0.5～12%,Li2O+Na2O+K2O
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公开(公告)号：CN1339016A
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN00803235.1
申请日：2000-11-21
申请人： 日本电气硝子株式会社
摘要： 本发明涉及荧光灯用钨密封玻璃。本发明荧光灯用钨密封玻璃按照质量百分率具有SiO2:65～76%、B2O3:10～25%、Al2O3:2～6%。MgO+CaO+SrO+BaO+ZnO:0.5～5.8%、Li2O+Na2O+K2O:3～8%、Fe2O3+CeO2:0.01～4%、TiO2+Sb2O3+PbO:0～10%、ZrO2:0～2%的组成,且Na2O/(Na2O+K2O)≤0.6。
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公开(公告)号：CN114423718A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080062475.7
申请日：2020-09-30
申请人： 日本电气硝子株式会社
摘要： 本发明创造一种深紫外区域内的透射率高、而且耐候性也高的紫外线透射玻璃。本发明的紫外线透射玻璃的特征在于，作为玻璃组成，以质量％计含有SiO255～80％、Al2O31～25％、B2O310.8～30％、Na2O0～10％、K2O0％以上且低于1.6％、Li2O+Na2O+K2O0.1～10％、BaO 0～5％和Cl 0～1％，所述紫外线透射玻璃在厚度0.5mm、波长200nm下的外部透射率为38％以上。
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公开(公告)号：CN102046548A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980119133.8
申请日：2009-06-18
申请人： 日本电气硝子株式会社
发明人： 桥本幸市
CPC分类号： C03C8/02 , C03C8/08 , H01L23/291 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明的半导体密封材料的特征在于，由金属包覆用玻璃构成，该金属包覆用玻璃的应变点为480℃以上，与104dPa·s的粘度相应的温度为1100℃以下，在30～380℃下的热膨胀系数为70×10-7～110×10-7/℃。本发明的半导体密封材料不含对环境有害的物质，具有500℃以上的较高耐热温度，而且，可以密封镀铜铁镍合金等易氧化的金属。
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公开(公告)号：CN100418911C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200410092909.0
申请日：2004-11-11
申请人： 日本电气硝子株式会社
摘要： 本发明的课题是提供作为澄清剂不含有As2O3，而且限制了Sb2O3或Sb2O5的含量，同时气泡少的半导体封装用覆层玻璃。本发明的玻璃的特征是，以质量%计，含有SiO258～72%、Al2O30.5～15%、B2O38～18%、碱金属氧化物7.5～20%、碱土类金属氧化物0～20%、ZnO 0～10%、Sb2O3+Sb2O50～0.2%、F2+Cl2+C+SO3+SnO20.01～3%，实际上不含As2O3。
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公开(公告)号：CN1748303A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480004098.2
申请日：2004-02-16
申请人： 日本电气硝子株式会社
摘要： 本发明提供一种半导体封装体用外罩玻璃(10)，是具备了沿板厚方向相面对的第1透光面(10a)及第2透光面(10b)、构成周缘的侧面(10c)的板状玻璃。该外罩玻璃(10)的尺寸为14×16×0.5mm，第1透光面(10a)及第2透光面(10b)为非研磨面，其表面粗糙度(Ra)都在0.5nm以下。
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