公开(公告)号：CN100459169C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200610101939.2

申请日：2006-07-11

Applicant: 日本电气株式会社 ,  NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂 ,  是成贵弘 ,  松崎忠弘 ,  田边浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/66757

Abstract: 在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。

公开(公告)号：CN1897307A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610101939.2

申请日：2006-07-11

Applicant: 日本电气株式会社 ,  NEC液晶技术株式会社

Inventor： 森茂 ,  是成贵弘 ,  松崎忠弘 ,  田边浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L29/66757

Abstract: 在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。

公开(公告)号：CN100477273C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410059385.5

申请日：2004-06-18

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 林健一 ,  岛本浩文 ,  松崎忠弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136209 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，包括用于将透明像素电极电连接于薄膜晶体管的上电极。该上电极至少包括第一金属层和形成在第一金属层上的第二金属层。第二金属层的反射系数低于第一金属层的且第一金属层具有不被第二金属层叠盖的区域。

公开(公告)号：CN1599079A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410059385.5

申请日：2004-06-18

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 林健一 ,  岛本浩文 ,  松崎忠弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136209 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，包括用于将透明像素电极电连接于薄膜晶体管的上电极。该上电极至少包括第一金属层和形成在第一金属层上的第二金属层。第二金属层的反射系数低于第一金属层的且第一金属层具有不被第二金属层叠盖的区域。