公开(公告)号：CN1268046C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN02132249.X

申请日：2002-09-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 笹冈千秋

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/30612 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/145 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/00

Abstract: 一种形成部分蚀刻的基于氮化物半导体晶体层的方法，包括以下步骤，形成一个基于氮化物半导体的非晶体层。在部分蚀刻的非晶体层被结晶之前，蚀刻至少一部分非晶体层以形成一部分蚀刻的非晶体层，从而形成部分蚀刻的基于氮化物的半导体晶体层。

公开(公告)号：CN1404192A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02132249.X

申请日：2002-09-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 笹冈千秋

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/30612 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/145 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/00

Abstract: 一种形成部分蚀刻的基于氮化物半导体晶体层的方法，包括以下步骤，形成一个基于氮化物半导体的非晶体层。在部分蚀刻的非晶体层被结晶之前，蚀刻至少一部分非晶体层以形成一部分蚀刻的非晶体层，从而形成部分蚀刻的基于氮化物的半导体晶体层。

公开(公告)号：CN100466172C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200610091279.4

申请日：2002-09-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 笹冈千秋

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/04 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L21/30612 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/145 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/00

Abstract: 一种形成部分蚀刻的基于氮化物半导体晶体层的方法，包括以下步骤，形成一个基于氮化物半导体的非晶体层。在部分蚀刻的非晶体层被结晶之前，蚀刻至少一部分非晶体层以形成一部分蚀刻的非晶体层，从而形成部分蚀刻的基于氮化物的半导体晶体层。

公开(公告)号：CN100407374C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200480024908.0

申请日：2004-08-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 仓本大 ,  笹冈千秋 ,  松馆政茂

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/323 ,  H01S5/32341

Abstract: 多晶AlN 3通过溅射方法沉积在SiO2膜(2)的表面上，并且形成掩模。然后，在所形成的掩模上形成Si掺杂的n-GaN层5。随后，顺序生长出由Si-掺杂的n-型Al0.1Ga0.9N(硅含量为4×1017cm-3，厚度为1.2μm)形成的n-型镀层(6)；由Si-掺杂的n-型GaN形成的n-型光捕获层(7)；由In0.2Ga0.8N势阱层以及Si掺杂的In0.05Ga0.95N阻挡层形成的多重量子势阱层(8)；由Mg-掺杂的p-型Al0.2Ga0.8N形成的保护层(9)；由Mg-掺杂的p-型GaN形成的p-型光捕获层(10)；由Mg-掺杂的p-型Al0.1Ga0.9N形成的p-型镀层(11)；以及由Mg-掺杂的p-型GaN形成的p-型接触层(12)，从而形成了LD层结构。

公开(公告)号：CN1870221A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610091279.4

申请日：2002-09-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 笹冈千秋

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/04 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L21/30612 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/145 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/00

Abstract: 一种形成部分蚀刻的基于氮化物半导体晶体层的方法，包括以下步骤，形成一个基于氮化物半导体的非晶体层。在部分蚀刻的非晶体层被结晶之前，蚀刻至少一部分非晶体层以形成一部分蚀刻的非晶体层，从而形成部分蚀刻的基于氮化物的半导体晶体层。

公开(公告)号：CN1846299A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200480024908.0

申请日：2004-08-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 仓本大 ,  笹冈千秋 ,  松馆政茂

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/323 ,  H01S5/32341

Abstract: 多晶AlN3通过溅射方法沉积在SiO2膜(2)的表面上，并且形成掩模。然后，在所形成的掩模上形成Si掺杂的n－GaN层5。随后，顺序生长出由Si－掺杂的n－型Al0.1Ga0.9N(硅含量为4×1017cm－3，厚度为1.2μm)形成的n－型镀层(6)；由Si－掺杂的n－型GaN形成的n－型光捕获层(7)；由In0.2Ga0.8N势阱层以及Si掺杂的In0.05Ga0.95N阻挡层形成的多重量子势阱层(8)；由Mg－掺杂的p－型Al0.2Ga0.8N形成的保护层(9)；由Mg－掺杂的p－型GaN形成的p－型光捕获层(10)；由Mg－掺杂的p－型Al0.1Ga0.9N形成的p－型镀层(11)；以及由Mg－掺杂的p－型GaN形成的p－型接触层(12)，从而形成了LD层结构。