公开(公告)号：CN111132952B

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN201880061975.1

申请日：2018-09-18

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 小岛惠人 ,  米仓宏 ,  胜祐介 ,  光冈健

IPC: C04B35/56 ,  B23B27/14 ,  C04B41/87

Abstract: 提供：耐磨耗性和耐缺失性优异的陶瓷烧结体；且提供：使用了其性能优异的陶瓷烧结体的嵌件、切削工具和摩擦搅拌接合用工具。陶瓷烧结体包含：Al2O3(氧化铝)、WC(碳化钨)和ZrO2(氧化锆)，下述(1)、(2)中的一者或两者的晶界中存在有Zr(锆)元素。(1)Al2O3晶粒间的晶界；(2)Al2O3晶粒与WC晶粒的晶界。一种陶瓷烧结体，其还含有WC55.0～97.5vol％、ZrO20.1～18.0vol％，余量为Al2O3，ZrO2由正方晶(T)、或正方晶(T)与单斜晶(M)的混晶形成。

公开(公告)号：CN109716178B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201780057362.6

申请日：2017-10-18

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 茂木淳 ,  高久翔平 ,  胜祐介 ,  光冈健 ,  伊藤经之

IPC: G02B5/20 ,  C04B35/50 ,  C09K11/80 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供能够同时实现高荧光强度和高颜色均质性的光波长转换部件及发光装置。在光波长转换部件(1)中，A3B5O12中的A和B是从下述元素组中选择的至少一种元素，A：Sc、Y、除Ce以外的镧系元素，B：Al、Ga，并且，陶瓷烧结体的剖面的20μm见方的范围内的A3B5O12：Ce结晶粒子N个之中，存在于Al2O3结晶粒子内的个数为a个，与其他的A3B5O12：Ce结晶粒子不相接而存在于Al2O3结晶粒界的个数为b个，与一个以上的其他的A3B5O12：Ce结晶粒子相接且存在于Al2O3结晶粒界的个数为c个，各个数对整体的比例a/N、b/N、c/N分别为X、Y、Z时，各比例满足下述的范围：0％≤X≤25％，9％≤Y≤45％，48％≤Z≤90％。

公开(公告)号：CN109923446B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201780066919.2

申请日：2017-10-20

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 高久翔平 ,  胜祐介 ,  伊藤经之 ,  志村祐纪 ,  光冈健 ,  茂木淳

IPC: G02B5/20 ,  C04B35/50 ,  C09K11/80 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供一种光波长转换构件及发光装置，具有较高的照度及荧光强度，并能够抑制色斑。光波长转换构件(9)由具有以具有荧光性的结晶粒子为主体的荧光相和以具有透光性的结晶粒子为主体的透光相的陶瓷烧结体所构成。荧光相的结晶粒子具有用化学式A3B5O12：Ce表示的组成，并且A元素及B元素分别由从下述元素群中选择的至少1种元素所构成。即，A元素可以从“Sc、Y、除Ce之外的镧系元素”中选择，B元素可以从“Al、Ga”中选择。进一步地，在光波长转换构件(9)中，光波长转换构件9的截面中的透光相与荧光相的面积比a为0.3＜a＜34，且荧光相的界面长度y为300μm＜y＜1050μm。

公开(公告)号：CN109891274A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201780066574.0

申请日：2017-10-20

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 茂木淳 ,  高久翔平 ,  胜祐介 ,  光冈健 ,  伊藤经之

IPC: G02B5/20 ,  C04B35/50 ,  C09K11/08 ,  C09K11/80 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供一种能够同时实现高荧光强度和高颜色均质性的光波长转换部件及发光装置。发光装置(1)具备容器(3)、发光元件(5)及光波长转换部件(9)。光波长转换部件(9)是由以Al2O3结晶粒子和用化学式A3B5O12：Ce表示成分的结晶粒子为主成分的多结晶体即陶瓷烧结体构成的光波长转换部件(9)。详细而言，A3B5O12中的A和B是从下述元素组中选择的至少一种元素，并且，在陶瓷烧结体的各结晶粒子内和结晶粒界之间分布有从下述元素组中选择的至少一种元素，且分布于各结晶粒子内和结晶粒界的元素在结晶粒界的浓度比在各结晶粒子内的浓度高。A：Sc、Y、除Ce以外的镧系元素，B：Al、Ga。

公开(公告)号：CN109328184A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201780039493.1

申请日：2017-06-19

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 茂木淳 ,  胜祐介 ,  光冈健

IPC: C04B35/117 ,  C09K11/08 ,  C09K11/80

Abstract: 在陶瓷烧结体中，在提高耐久性的同时抑制发光强度的降低以及色度偏差的产生。一种陶瓷烧结体，其特征在于，包含：氧化铝以及由M13-XM2XM35O12表示的化合物，陶瓷烧结体中的化合物的体积比例为3％～70％，铝与M2的复合氧化物相对于化合物的XRD强度比小于0.05，陶瓷烧结体中包含的氧化铝的平均粒径为0.30(μm)～3.00(μm)。M1为选自Sc、Y和镧系元素中的至少一种，M2为选自除了M1中所选择的镧系元素以外的镧系元素中的至少一种，M3为Al或Ga中的至少一种，X为0.003～0.500。

公开(公告)号：CN112470044B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN201980049392.1

申请日：2019-07-17

Applicant: 日本特殊陶业株式会社(JP)

Inventor： 高久翔平 ,  胜祐介 ,  伊藤经之 ,  仓桥利明 ,  山田嗣人

IPC: G02B5/20 ,  C04B35/117 ,  C09K11/80 ,  H01L33/50

Abstract: 本公开的一方面中的光波长转换构件由陶瓷烧结体构成，所述陶瓷烧结体是以Al2O3晶体颗粒和化学式X3Al5O12：Ce所示的X3Al5O12：Ce晶体颗粒为主成分的多晶体。该光波长转换构件9中，X的原子包含于跟Al2O3晶体颗粒与X3Al5O12：Ce晶体颗粒的界面相邻的Al2O3晶体颗粒中。

公开(公告)号：CN111699420B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN201880089083.2

申请日：2018-10-31

Applicant: 日本特殊陶业株式会社(JP)

Inventor： 高久翔平 ,  八谷洋介 ,  胜祐介 ,  田中智雄

IPC: G02B5/20 ,  F21V7/30 ,  F21V9/32 ,  F21V29/502 ,  F21Y115/30

Abstract: 提供：维持光波长转换构件与散热构件的接合强度、且能有效地进行光波长转换构件的排热的光波长转换装置。本公开为一种光波长转换装置，其具备：光波长转换构件，其以转换所入射的光的波长的方式构成；散热构件，其散热性比光波长转换构件还优异；和，接合部，其用于将光波长转换构件与散热构件接合。光波长转换构件具有：板状的陶瓷荧光体；和，反射膜，其配置于陶瓷荧光体的散热构件侧的表面。接合部的热导率为120W/mK以上。接合部的熔点为240℃以上。

公开(公告)号：CN111699420A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201880089083.2

申请日：2018-10-31

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 高久翔平 ,  八谷洋介 ,  胜祐介 ,  田中智雄

IPC: G02B5/20 ,  F21V7/30 ,  F21V9/32 ,  F21V29/502 ,  F21Y115/30

Abstract: 提供：维持光波长转换构件与散热构件的接合强度、且能有效地进行光波长转换构件的排热的光波长转换装置。本公开为一种光波长转换装置，其具备：光波长转换构件，其以转换所入射的光的波长的方式构成；散热构件，其散热性比光波长转换构件还优异；和，接合部，其用于将光波长转换构件与散热构件接合。光波长转换构件具有：板状的陶瓷荧光体；和，反射膜，其配置于陶瓷荧光体的散热构件侧的表面。接合部的热导率为120W/mK以上。接合部的熔点为240℃以上。

公开(公告)号：CN111133343A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880061679.1

申请日：2018-09-10

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 高久翔平 ,  胜祐介 ,  伊藤经之 ,  志村祐纪 ,  坂慎二 ,  光冈健

IPC: G02B5/20 ,  C04B35/117 ,  C09K11/80 ,  F21S2/00 ,  F21V7/30 ,  F21V9/32 ,  F21V29/502 ,  H01L33/50 ,  H01S5/022 ,  F21Y115/10 ,  F21Y115/30

Abstract: 提供：散热特性优异、并且光波长转换特性优异的光波长转换装置和光复合装置。光波长转换装置(1)通过将散热性优异的散热构件(13)接合于光波长转换构件(9)的构成，可以效率良好地使由入射至光波长转换构件(9)的光而产生的热散热。因此，即使入射高能量的光，也不易产生温度猝灭，因此，可以维持高的荧光强度。另外，在反射膜(19)与接合部(15)之间具备中间膜(21)。因此，反射膜(19)与接合部(15)的接合性改善，因此，从光波长转换构件(9)侧至散热构件(13)侧的散热性改善。由此，可以抑制光波长转换构件(9)的温度猝灭，因此，荧光强度改善。

公开(公告)号：CN103974922B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201380004197.X

申请日：2013-06-10

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 茂木淳 ,  胜祐介 ,  光冈健

IPC: C04B35/10 ,  B23B27/14 ,  C04B35/56

CPC classification number: C04B35/106 ,  B23B2226/18 ,  C04B35/119 ,  C04B35/48 ,  C04B35/5626 ,  C04B35/645 ,  C04B37/02 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  Y10T407/27 ,  Y10T428/268

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷烧结体，其包含碳化钨、氧化锆和氧化铝。所述碳化钨的含量为20～50体积％，且所述氧化锆的含量为5～25体积％。所述氧化锆的晶相为正方晶或者正方晶与单斜晶的混晶。所述陶瓷烧结体实质上不含Ti化合物。所述碳化钨的平均粒径、所述氧化锆的平均粒径和所述氧化铝的平均粒径都为1μm以下。