公开(公告)号：CN1825102A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610009422.0

申请日：2006-02-22

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 中川伸一 ,  中野吉博 ,  喜田真史 ,  小岛多喜男

IPC: G01N27/12 ,  G01N27/407

CPC classification number: G01N27/125

Abstract: 本发明提供一种即使在高温和高湿度环境下使用时也具有极好防潮性能的气敏元件。根据本发明，一种气敏元件(1)包括：硅衬底(2)；主要由SnO2构成并且形成于硅衬底(2)上的金属氧化物半导体部分(41)；以及由Pd构成并且分散在金属氧化物半导体部分(41)的表面上的催化部分(42)，其中金属氧化物半导体部分(41)和催化部分(42)构成气敏部分(4)。而且，主要由SiO2构成的绝缘部分(7)分散地形成于气敏部分(4)的表面上。而且，催化部分(42)和绝缘部分(7)形成于金属氧化物半导体部分(41)的表面上，以使得具有绝缘部分(7)的气敏部分(4)的由Si/(Pd+Si)表示的代表Si与Pd的原子数目比值的表面添加比值可以为65％或者更大至97％或更小，并且使得气敏部分(4)的由Si/(Sn+Si)表示的代表Si与Sn的原子数目比值的表面添加比值可以为75％或者更大至97％或更小。

公开(公告)号：CN1825102B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200610009422.0

申请日：2006-02-22

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 中川伸一 ,  中野吉博 ,  喜田真史 ,  小岛多喜男

IPC: G01N27/12 ,  G01N27/407

CPC classification number: G01N27/125

Abstract: 本发明提供一种即使在高温和高湿度环境下使用时也具有极好防潮性能的气敏元件。根据本发明，一种气敏元件(1)包括：硅衬底(2)；主要由SnO2构成并且形成于硅衬底(2)上的金属氧化物半导体部分(41)；以及由Pd构成并且分散在金属氧化物半导体部分(41)的表面上的催化部分(42)，其中金属氧化物半导体部分(41)和催化部分(42)构成气敏部分(4)。而且，主要由SiO2构成的绝缘部分(7)分散地形成于气敏部分(4)的表面上。而且，催化部分(42)和绝缘部分(7)形成于金属氧化物半导体部分(41)的表面上，以使得具有绝缘部分(7)的气敏部分(4)的由Si/(Pd+Si)表示的代表Si与Pd的原子数目比值的表面添加比值可以为65％或者更大至97％或更小，并且使得气敏部分(4)的由Si/(Sn+Si)表示的代表Si与Sn的原子数目比值的表面添加比值可以为75％或者更大至97％或更小。