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公开(公告)号：CN102947073B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180030095.6
申请日：2011-06-21
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: B29C59/02 , B29C33/38 , H01L21/027
CPC classification number: B29C33/3878 , B29C35/02 , B29C35/0805 , B29C59/022 , B29C71/04 , B29C2035/0827 , B29C2059/023 , B29K2083/00 , B29K2105/243
Abstract: 本发明提供一种廉价且在强度、柔软性等方面具有良好特性的压印用复制模的制造方法。本发明的复制模的制造方法具有以下的工序。（A）在基材上涂布有机无机复合材料的工序，（B）通过热和/或电磁波使涂布面半固化制成微细凹凸图案形成用基材的工序，（C）利用压印法将形成有规定的微细凹凸图案的母模挤压在该微细凹凸图案形成用基材上来转印微细凹凸图案的工序，以及（D）对转印的该微细凹凸图案形成用基材照射电磁波而使其固化的工序。
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公开(公告)号：CN102947073A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180030095.6
申请日：2011-06-21
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: B29C59/02 , B29C33/38 , H01L21/027
CPC classification number: B29C33/3878 , B29C35/02 , B29C35/0805 , B29C59/022 , B29C71/04 , B29C2035/0827 , B29C2059/023 , B29K2083/00 , B29K2105/243
Abstract: 本发明提供一种廉价且在强度、柔软性等方面具有良好特性的压印用复制模的制造方法。本发明的复制模的制造方法具有以下的工序。（A）在基材上涂布有机无机复合材料的工序，（B）通过热和/或电磁波使涂布面半固化制成微细凹凸图案形成用基材的工序，（C）利用压印法将形成有规定的微细凹凸图案的母模挤压在该微细凹凸图案形成用基材上来转印微细凹凸图案的工序，以及（D）对转印的该微细凹凸图案形成用基材照射电磁波而使其固化的工序。
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公开(公告)号：CN101547947A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200780044585.5
申请日：2007-12-04
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: C08F283/12 , C08F2/44 , C08L51/08
CPC classification number: C08F2/44 , C08G77/20 , C08J3/28 , C08K2003/2241 , C09D183/04 , C08K5/0025 , C08L33/06
Abstract: 本发明提供表面具有非常高的硬度同时内部以及背面侧具有适度的硬度、且与基体的密合性优异的有机无机复合物。所述有机无机复合物的特征在于，以a)用式(I)：RnSiX4－n(式中，R表示碳原子直接与Si结合的有机基团，X表示羟基或者水解性基团。n表示1或者2，在n为2时，各R可以相同或不同，(4－n)为2以上时，各X可以相同或不同。)表示的有机硅化合物的缩合物为主成分，还含有b)从金属螯合物、金属有机酸盐化合物、具有2个以上的羟基或水解性基团的金属化合物、它们的水解物及它们的缩合物中选择的至少1种对350nm以下的波长的光敏感的感光性化合物、和/或由其衍生的化合物，和c)紫外线固化性化合物的固化物。
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公开(公告)号：CN119836862A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202380064310.7
申请日：2023-09-14
IPC: H10K50/155 , G09F9/30 , H10K10/40 , H10K30/50 , H10K30/86 , H10K50/10 , H10K50/15 , H10K59/00 , H10K59/10 , H10K85/10 , H10K85/60 , H10K101/30 , H10K101/40
Abstract: 本发明的课题在于提供一种使用电子亲和能大的有机材料作为空穴注入材料的、能够改善有机器件的驱动稳定性的有机薄膜，作为解决方案的有机薄膜，是包含电子亲和能不同的两种以上有机受体材料的空穴注入性的有机薄膜，其特征在于，包括第一层和第二层，第一层包含电子亲和能相对小的有机受体材料，第二层层叠在所述第一层上且包含电子亲和能相对大的有机受体材料，所述电子亲和能相对小的有机受体材料的电子亲和能小于所述电子亲和能相对大的有机受体材料的电子亲和能，所述第一层配置在阳极侧使用。
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公开(公告)号：CN104093560B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201380007697.9
申请日：2013-01-25
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: C08J7/18 , C08J2483/00
Abstract: 本发明的薄膜层叠体特征在于，在树脂基体上以第1层、第2层的顺序依次形成的薄膜层叠体中，第1层是有机无机复合薄膜，膜厚为500nm以上，其含有a)RnSiX4－n表示的有机硅化合物的缩合物及b)有机高分子化合物；第2层是下述a)金属氧化物薄膜或b)气体阻隔膜：a)金属氧化物薄膜，其利用溶胶凝胶法形成，膜厚为200nm以下，并且，以式{膜厚的偏差[％]＝100×(膜厚的标准偏差)/(膜厚的平均值)}表示的膜厚的偏差小于10％，b)气体阻隔膜，膜厚为500nm以下；并且，第1层在与第2层的界面侧具有上述有机硅化合物的缩合物浓缩而成的层，该浓缩层的碳原子的浓度与距第1层与第2层的界面深300nm处的第1层的碳原子的浓度相比少20％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104380150B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380032030.4
申请日：2013-07-01
Applicant: 日本曹达株式会社
IPC: G02B1/11
CPC classification number: G02B1/11
Abstract: 本发明提供在有机无机复合薄膜表面上层叠像透明导电性膜或气体阻隔性的薄膜这种具有高折射率且光的透射率低的无机薄膜时不仅呈现高透射率，而且与无机薄膜的密合性也优异的功能性防反射膜。本发明的功能性防反射层叠体是在树脂基体上依次形成了第1层、第2层的薄膜层叠体，其特征在于，第1层是含有a)式(I)RnSiX4－n(I)表示的有机硅化合物的缩合物和b)有机高分子化合物的、膜厚为500nm以上的有机无机复合薄膜，第2层是膜厚为10～300nm的透明导电性膜或气体阻隔膜，第2层的表面形成了高度为40～500nm、间距为50～400nm的微细凸凹结构，该功能性防反射层叠体在波长500～700nm的入射角12°的表面正反射率为3％以下。
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公开(公告)号：CN103052651B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180037661.6
申请日：2011-08-04
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: C09D175/14 , C08F2/44 , C08F2/48 , C08G77/20 , C08K3/36 , C09D183/04
Abstract: 本发明的目的在于提供在表面具有比内部高的硬度的聚硅氧烷系的有机无机复合体中具有高表面硬度和抗牛顿环性、雾度低、能防止刺目、另外也能具有抗眩光性的有机无机复合体。本发明的有机无机复合体是使用含有以下a）～d）的成分的有机无机复合体形成用组合物而制造的。a）式（I）:RnSiX4-n表示的有机硅化合物和/或其缩合物，b）硅烷醇缩合催化剂，c）电磁辐射固化性化合物，和d）金属化合物粒子，该粒子是作为金属氧化物的等电点小于5的金属化合物粒子与作为金属氧化物的等电点为5以上的金属化合物粒子的混合物。
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公开(公告)号：CN104114622A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201280069083.9
申请日：2012-07-10
Applicant: 日本曹达株式会社
CPC classification number: C08J7/18 , C08J2483/00
Abstract: 本发明的课题在于：对表面具有比内部高的硬度的由聚硅氧烷系的有机无机复合体构成的膜的表面进一步进行无机质化。本发明的有机无机复合薄膜为具有含有a)式(I)所示的有机硅化合物的缩合物和b)有机高分子化合物的层的有机无机复合薄膜，在该膜的表面形成式(I)所示的有机硅化合物的缩合物浓缩而成的层，距离表面10nm的深度的碳原子的浓度与距离表面100nm的深度的碳原子的浓度相比，少20％以上，并且，距离膜的表面2nm的深度的O/Si元素比为18～2.5。RnSiX4-n (I)(式中，R表示碳原子与Si直接结合的有机基，X表示羟基或水解性基。n表示1或2，n为2时，各R相同或不同，(4-n)为2以上时，各X相同或不同)。
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公开(公告)号：CN116368201A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202180069052.2
申请日：2021-10-20
Applicant: 国立大学法人九州大学 , 日本曹达株式会社
IPC: C09K11/06
Abstract: 本发明提供一种式(I)表示的化合物等。(式中，R1、R2、R3、R4、R5和R6为取代或无取代的烷基，m各自独立地为0～4中的任一整数，n各自独立地为0～3中的任一整数，Y为N－R7、O或S，Z为N－R8、O或S，R7和R8各自独立地为氢原子、取代或无取代的烷基、或者取代或无取代的芳基，R7为取代或无取代的芳基时，该芳基可以与A1环连接而形成稠环，R8为取代或无取代的芳基时，该芳基可以与A2环连接而形成稠环。)
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公开(公告)号：CN104380150A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380032030.4
申请日：2013-07-01
Applicant: 日本曹达株式会社
Abstract: 本发明提供在有机无机复合薄膜表面上层叠像透明导电性膜或气体阻隔性的薄膜这种具有高折射率且光的透射率低的无机薄膜时不仅呈现高透射率，而且与无机薄膜的密合性也优异的功能性防反射膜。本发明的功能性防反射层叠体是在树脂基体上依次形成了第1层、第2层的薄膜层叠体，其特征在于，第1层是含有a)式(I)RnSiX4－n(I)表示的有机硅化合物的缩合物和b)有机高分子化合物的、膜厚为500nm以上的有机无机复合薄膜，第2层是膜厚为10～300nm的透明导电性膜或气体阻隔膜，第2层的表面形成了高度为40～500nm、间距为50～400nm的微细凸凹结构，该功能性防反射层叠体在波长500～700nm的入射角12°的表面正反射率为3％以下。
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