公开(公告)号：CN104584228A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201280075389.5

申请日：2012-08-23

Applicant: 学校法人中部大学 ,  国立大学法人北海道大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 河原敏男 ,  冈本一将 ,  松本和彦 ,  宇都宫里佐 ,  松叶晃明 ,  松本均

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78687 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 薄膜晶体管10具备硅基板1、沟道层2、源极电极3及漏极电极4。沟道层2、源极电极3及漏极电极4配置在硅基板1的一主面上。沟道层2包含多个碳纳米墙薄膜21～25，多个碳纳米墙薄膜21～25并列配置在源极电极3与漏极电极4之间，多个碳纳米墙薄膜21～25的其中一端接触源极电极3，多个碳纳米墙薄膜21～25的另一端接触漏极电极4。绝缘膜及栅极电极配置在硅基板1的背面侧。

公开(公告)号：CN103648978A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280032880.X

申请日：2012-06-26

Applicant: 学校法人中部大学 ,  国立大学法人北海道大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 河原敏男 ,  冈本一将 ,  松本和彦 ,  宇都宫里佐 ,  松叶晃明 ,  松本均

IPC: C01B31/02

CPC classification number: C01B31/0293 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/18 ,  Y10T428/24612

Abstract: 碳纳米墙排列体(10)具备基板(1)及碳纳米墙(2～9)。基板(1)包含硅。并且，基板(1)包含凸部(11)及凹部(12)。凸部(11)以及凹部(12)沿着方向DR1而形成在基板1的一个表面。凸部(11)以及凹部(12)是在垂直于方向DR1的方向DR2上交替地形成。凸部(11)在方向DR2上具有0.1μm～0.5μm的长度，凹部(12)在方向DR2上具有0.6μm～1.5μm的长度。而且，凸部(11)的高度为0.3μm～0.6μm。碳纳米墙(2～9)各自沿着基板(1)的凸部(11)的长度方向(＝方向DR1)而形成在凸部(11)上。

公开(公告)号：CN113811386A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202080033124.3

申请日：2020-04-30

Applicant: 日新电机株式会社

Inventor： 出口洋成 ,  植村有希 ,  松叶晃明 ,  佐本祥子 ,  坂元省一 ,  笹谷幸生

IPC: B01J20/18 ,  H02B13/055

Abstract: 绝缘气体用吸附剂在包含二氧化碳和有机氟化合物的绝缘气体气氛下使用。绝缘气体用吸附剂含有沸石。沸石包含A型沸石、且包含X型沸石和ZSM‑5型沸石中的至少一种沸石。

公开(公告)号：CN103648978B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280032880.X

申请日：2012-06-26

Applicant: 学校法人中部大学 ,  国立大学法人北海道大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 河原敏男 ,  冈本一将 ,  松本和彦 ,  宇都宫里佐 ,  松叶晃明 ,  松本均

IPC: C01B31/02

CPC classification number: C01B31/0293 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/18 ,  Y10T428/24612

Abstract: 碳纳米墙排列体(10)具备基板(1)及碳纳米墙(2～9)。基板(1)包含硅。并且，基板(1)包含凸部(11)及凹部(12)。凸部(11)以及凹部(12)沿着方向DR1而形成在基板1的一个表面。凸部(11)以及凹部(12)是在垂直于方向DR1的方向DR2上交替地形成。凸部(11)在方向DR2上具有0.1μm～0.5μm的长度，凹部(12)在方向DR2上具有0.6μm～1.5μm的长度。而且，凸部(11)的高度为0.3μm～0.6μm。碳纳米墙(2～9)各自沿着基板(1)的凸部(11)的长度方向(＝方向DR1)而形成在凸部(11)上。