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公开(公告)号：CN118225798A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311727562.1
申请日：2023-12-15
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G01N21/95
Abstract: 本发明提供一种光学用材料的评价方法及评价装置、记录介质。提供能够有效地管理光学部件的品质的光学用材料的评价方法。本发明的光学用材料的评价方法包括以下步骤：步骤A：对光学用材料从一个方向照射对于光学用材料具有透过性的波长的光；步骤B：从与光的行进方向交叉的方向拍摄正在被照射光的光学用材料，来获得正在被照射光的状态下的光学用材料的图像数据；以及步骤C：基于图像数据，来检测光学用材料内的异物，并对光学用材料的特性进行评价。在步骤C中，从图像数据获取亮点信息，基于亮点信息检测光学用材料内的异物，并且基于亮点信息使用评价基准信息来对光学用材料的特性进行评价。
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公开(公告)号：CN111919126A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201880091382.X
申请日：2018-12-17
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 森光大树
Abstract: 电阻测量装置为测量在一方向上较长的导电性膜的薄层电阻的装置，其特征在于，具有：探测单元，其与导电性膜相对地配置；扫描单元，其使探测单元跨导电性膜的输送区域和非输送区域这两个区域地沿与一方向交叉的交叉方向扫描；以及运算单元，其基于由探测单元测量的电压来计算导电性膜的薄层电阻，运算单元具有存储在非输送区域测量出的参照电压的存储器，基于参照电压来校正通过探测单元在输送区域沿交叉方向扫描而测量的实际电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111936662B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201880091373.0
申请日：2018-12-17
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 膜制造装置制造长条的双面层叠膜。该膜制造装置具有：层叠单元，其在长条的基材膜的厚度方向一侧层叠第1层来制作单面层叠膜，在单面层叠膜的厚度方向另一侧层叠第2层来制作双面层叠膜；输送单元，其将单面层叠膜和双面层叠膜沿输送方向输送；标记单元，其对单面层叠膜赋予标记；测量单元，其测量层叠膜和双面层叠膜的物理性质；检测单元，其配置于测量单元的输送方向上游侧，对标记进行检测；以及运算单元，其基于单面层叠膜的第1位置处的物理性质和双面层叠膜的第2位置处的物理性质来求出第1层的物理性质和第2层的物理性质。运算单元以标记为基准，将在厚度方向上与第1位置大致相同的位置设为第2位置。
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公开(公告)号：CN111936662A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201880091373.0
申请日：2018-12-17
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 膜制造装置制造长条的双面层叠膜。该膜制造装置具有：层叠单元，其在长条的基材膜的厚度方向一侧层叠第1层来制作单面层叠膜，在单面层叠膜的厚度方向另一侧层叠第2层来制作双面层叠膜；输送单元，其将单面层叠膜和双面层叠膜沿输送方向输送；标记单元，其对单面层叠膜赋予标记；测量单元，其测量层叠膜和双面层叠膜的物理性质；检测单元，其配置于测量单元的输送方向上游侧，对标记进行检测；以及运算单元，其基于单面层叠膜的第1位置处的物理性质和双面层叠膜的第2位置处的物理性质来求出第1层的物理性质和第2层的物理性质。运算单元以标记为基准，将在厚度方向上与第1位置大致相同的位置设为第2位置。
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公开(公告)号：CN111919126B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201880091382.X
申请日：2018-12-17
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 森光大树
Abstract: 电阻测量装置为测量在一方向上较长的导电性膜的薄层电阻的装置，其特征在于，具有：探测单元，其与导电性膜相对地配置；扫描单元，其使探测单元跨导电性膜的输送区域和非输送区域这两个区域地沿与一方向交叉的交叉方向扫描；以及运算单元，其基于由探测单元测量的电压来计算导电性膜的薄层电阻，运算单元具有存储在非输送区域测量出的参照电压的存储器，基于参照电压来校正通过探测单元在输送区域沿交叉方向扫描而测量的实际电压。
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公开(公告)号：CN111819450B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201880090994.7
申请日：2018-12-17
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 森光大树
Abstract: 电阻测量装置为测量在一方向上较长的导电性膜的薄层电阻的电阻测量装置，该电阻测量装置具有：两个探测器，该两个探测器以不与导电性膜相接触而能够使导电性膜介于该两个探测器之间的方式，隔有间隔而相对地配置；扫描单元，其使两个探测器沿与一方向交叉的交叉方向扫描；以及运算单元，其基于由两个探测器测量的电压来计算导电性膜的薄层电阻。运算单元具有存储器，该存储器用于存储在不使导电性膜介于两个探测器之间的情况下使两个探测器沿交叉方向扫描而测量出的参照电压。运算单元基于参照电压校正使导电性膜介于两个探测器之间并使两个探测器沿交叉方向扫描而测量出的实际电压。
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公开(公告)号：CN111819450A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201880090994.7
申请日：2018-12-17
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 森光大树
Abstract: 电阻测量装置为测量在一方向上较长的导电性膜的薄层电阻的电阻测量装置，该电阻测量装置具有：两个探测器，该两个探测器以不与导电性膜相接触而能够使导电性膜介于该两个探测器之间的方式，隔有间隔而相对地配置；扫描单元，其使两个探测器沿与一方向交叉的交叉方向扫描；以及运算单元，其基于由两个探测器测量的电压来计算导电性膜的薄层电阻。运算单元具有存储器，该存储器用于存储在不使导电性膜介于两个探测器之间的情况下使两个探测器沿交叉方向扫描而测量出的参照电压。运算单元基于参照电压校正使导电性膜介于两个探测器之间并使两个探测器沿交叉方向扫描而测量出的实际电压。
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