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公开(公告)号：CN117795288A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280055466.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G01B11/30 , G01N21/958
Abstract: 本发明提供与以往相比可检测出格外微小的缺陷的光透射性积层体的检查方法。本发明的光透射性积层体的检查方法是具有第1主面与第2主面的单片光透射性积层体的检查方法，该检查方法包含以下步骤：以位移传感器检测该光透射性积层体的该第1主面的高度而获得位移数据；以光学系统扫描该光透射性积层体，并从由此所得的扫描图像制作缺陷的坐标图；以及基于该缺陷的坐标图来检测缺陷，该检查方法基于该位移数据，一边将获得该扫描图像时的该光学系统的焦点的高度位置与该第1主面的高度位置的距离维持固定，一边进行该光透射性积层体的扫描。
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