公开(公告)号：CN1313360A

公开(公告)日：2001-09-19

申请号：CN01111645.5

申请日：2001-02-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山田纯子 ,  奥田悟志 ,  嶋田克实

IPC: C08L63/00 ,  H01L23/29 ,  C09K3/10

Abstract: 本发明提供一种即使在高温硬化,也很少产生二氧化碳气体,而且也很少有深斑产生的环氧树脂组合物,以及用这种环氧树脂组合物密封半导体元件制成的半导体装置。本发明的环氧树脂组合物含有环氧树脂和酸酐系硬化剂,热硬化时二氧化碳气体的产生量为500μg/g或以下。此外,该组合物含有环氧树脂、酸酐系硬化剂和二氮杂二环链烯类的有机酸盐。该二氮杂二环链烯类的量相对于酸酐系硬化剂100重量份为0.5～8重量份。因此,采用这种环氧树脂组合物密封半导体元件,可制得半导体装置。

公开(公告)号：CN1216100C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN01111645.5

申请日：2001-02-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山田纯子 ,  奥田悟志 ,  嶋田克实

IPC: C08L63/00 ,  H01L23/29 ,  C09K3/10

Abstract: 本发明提供一种即使在高温硬化，也很少产生二氧化碳气体，而且也很少有深斑产生的环氧树脂组合物，以及用这种环氧树脂组合物密封半导体元件制成的半导体装置。本发明的环氧树脂组合物含有环氧树脂和酸酐系硬化剂，热硬化时二氧化碳气体的产生量为500μg/g或以下。此外，该组合物含有环氧树脂、酸酐系硬化剂和二氮杂二环链烯类的有机酸盐。该二氮杂二环链烯类的量相对于酸酐系硬化剂100重量份为0.5～8重量份。因此，采用这种环氧树脂组合物密封半导体元件，可制得半导体装置。