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公开(公告)号：CN113961171B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202111226082.8
申请日：2021-10-21
Applicant: 无锡沐创集成电路设计有限公司
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明提供了一种随机信号生成装置和物理不可克隆函数生成系统。其中，包括：动态时钟发生器，用于为输入寄存器、信号生成单元和输出寄存器提供时钟信号；输入寄存器，用于将时钟信号发送至信号生成单元；信号生成单元，用于根据时钟信号的频率生成第一输出值和第二输出值，并将第一输出值和第二输出值发送至输出寄存器中；比较器，用于从输出寄存器中获取第一输出值和第二输出值，基于第一输出值、第二输出值和正确值生成随机信号。该方式具有简单稳定性高的优势；信号生成单元以工作在一个相对较低的工作频率，因此可以有效避免计数器失败的问题；可以有效提高PUF结构的复杂度和随机性,提高了PUF应对建模攻击的能力。
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公开(公告)号：CN113961171A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111226082.8
申请日：2021-10-21
Applicant: 无锡沐创集成电路设计有限公司
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明提供了一种随机信号生成装置和物理不可克隆函数生成系统。其中，包括：动态时钟发生器，用于为输入寄存器、信号生成单元和输出寄存器提供时钟信号；输入寄存器，用于将时钟信号发送至信号生成单元；信号生成单元，用于根据时钟信号的频率生成第一输出值和第二输出值，并将第一输出值和第二输出值发送至输出寄存器中；比较器，用于从输出寄存器中获取第一输出值和第二输出值，基于第一输出值、第二输出值和正确值生成随机信号。该方式具有简单稳定性高的优势；信号生成单元以工作在一个相对较低的工作频率，因此可以有效避免计数器失败的问题；可以有效提高PUF结构的复杂度和随机性,提高了PUF应对建模攻击的能力。
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公开(公告)号：CN114373746A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111645019.8
申请日：2021-12-29
Applicant: 无锡沐创集成电路设计有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种多熵源硬件真随机数发生器的熵源电路版图结构，涉及半导体集成电路技术领域，该版图结构包括：P型衬底以及P型衬底表面的多个独立的N型阱区，若干组独立的熵源电路分别制作于各个N型阱区内，从物理根本上降低不同熵源电路之间相互串扰的问题；每个N型阱区内形成有P型的隔离阱区，隔离阱区的底部和四周均被N型阱区包围实现隔离，熵源电路中的NMOS器件均为隔离型NMOS器件且制作形成于隔离阱区内，利用N型阱区的第二深阱区域与环形的第一浅阱区域相互配合形成一个立体容器，就可以将P型的隔离阱区围在里面，从而从物理上阻断了P型阱区直接与P型衬底的接触，减小熵源电路不同部分之间的噪声影响。
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公开(公告)号：CN114373746B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202111645019.8
申请日：2021-12-29
Applicant: 无锡沐创集成电路设计有限公司
IPC: H10F30/29
Abstract: 本发明公开了一种多熵源硬件真随机数发生器的熵源电路版图结构，涉及半导体集成电路技术领域，该版图结构包括：P型衬底以及P型衬底表面的多个独立的N型阱区，若干组独立的熵源电路分别制作于各个N型阱区内，从物理根本上降低不同熵源电路之间相互串扰的问题；每个N型阱区内形成有P型的隔离阱区，隔离阱区的底部和四周均被N型阱区包围实现隔离，熵源电路中的NMOS器件均为隔离型NMOS器件且制作形成于隔离阱区内，利用N型阱区的第二深阱区域与环形的第一浅阱区域相互配合形成一个立体容器，就可以将P型的隔离阱区围在里面，从而从物理上阻断了P型阱区直接与P型衬底的接触，减小熵源电路不同部分之间的噪声影响。
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