公开(公告)号：CN114373746A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202111645019.8

申请日：2021-12-29

Applicant: 无锡沐创集成电路设计有限公司

Inventor： 朱敏 ,  朱文昭 ,  杨博翰 ,  吴有余

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种多熵源硬件真随机数发生器的熵源电路版图结构，涉及半导体集成电路技术领域，该版图结构包括：P型衬底以及P型衬底表面的多个独立的N型阱区，若干组独立的熵源电路分别制作于各个N型阱区内，从物理根本上降低不同熵源电路之间相互串扰的问题；每个N型阱区内形成有P型的隔离阱区，隔离阱区的底部和四周均被N型阱区包围实现隔离，熵源电路中的NMOS器件均为隔离型NMOS器件且制作形成于隔离阱区内，利用N型阱区的第二深阱区域与环形的第一浅阱区域相互配合形成一个立体容器，就可以将P型的隔离阱区围在里面，从而从物理上阻断了P型阱区直接与P型衬底的接触，减小熵源电路不同部分之间的噪声影响。

公开(公告)号：CN114373746B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202111645019.8

申请日：2021-12-29

Applicant: 无锡沐创集成电路设计有限公司

Inventor： 朱敏 ,  朱文昭 ,  杨博翰 ,  吴有余

IPC: H10F30/29

Abstract: 本发明公开了一种多熵源硬件真随机数发生器的熵源电路版图结构，涉及半导体集成电路技术领域，该版图结构包括：P型衬底以及P型衬底表面的多个独立的N型阱区，若干组独立的熵源电路分别制作于各个N型阱区内，从物理根本上降低不同熵源电路之间相互串扰的问题；每个N型阱区内形成有P型的隔离阱区，隔离阱区的底部和四周均被N型阱区包围实现隔离，熵源电路中的NMOS器件均为隔离型NMOS器件且制作形成于隔离阱区内，利用N型阱区的第二深阱区域与环形的第一浅阱区域相互配合形成一个立体容器，就可以将P型的隔离阱区围在里面，从而从物理上阻断了P型阱区直接与P型衬底的接触，减小熵源电路不同部分之间的噪声影响。