公开(公告)号：CN114236359B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202111568525.1

申请日：2021-12-21

Applicant: 无锡江南计算技术研究所

Inventor： 曲芳 ,  张永华 ,  谢翰威 ,  史凌艳 ,  翁雷 ,  张涛 ,  吴利 ,  仇志豪

IPC: G01R31/28 ,  G06F30/3308 ,  G06F30/327

Abstract: 本发明公开一种面向ATE测试设备的集成电路测试激励生成方法，包括以下步骤：步骤一、构建全片设计模型，步骤二、构建模拟验证环境，步骤三、编写测试文件，步骤四、按照四层结构、在不同验证平台、基于行为级进行仿真生成不同层次的测试激励，步骤五、融合形成完整测试激励，将在不同验证平台上生成的测试激励，在应用层框架的基础上，根据调用及层级关系，融合形成一个完整的测试激励。本发明可以降低测试激励生成环境构建的难度和复杂度，提高测试激励环境构建的兼容性和适应性，降低测试激励生成时间，提高测试激励生成效率，提高测试激励文件内信息的直观性和可读性。

公开(公告)号：CN114236359A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111568525.1

申请日：2021-12-21

Applicant: 无锡江南计算技术研究所

Inventor： 曲芳 ,  张永华 ,  谢翰威 ,  史凌艳 ,  翁雷 ,  张涛 ,  吴利 ,  仇志豪

IPC: G01R31/28 ,  G06F30/3308 ,  G06F30/327

Abstract: 本发明公开一种面向ATE测试设备的新型集成电路测试激励生成方法，包括以下步骤：步骤一、构建全片设计模型，步骤二、构建模拟验证环境，步骤三、编写测试文件，步骤四、按照四层结构、在不同验证平台、基于行为级进行仿真生成不同层次的测试激励，步骤五、融合形成完整测试激励，将在不同验证平台上生成的测试激励，在应用层框架的基础上，根据调用及层级关系，融合形成一个完整的测试激励。本发明可以降低测试激励生成环境构建的难度和复杂度，提高测试激励环境构建的兼容性和适应性，降低测试激励生成时间，提高测试激励生成效率，提高测试激励文件内信息的直观性和可读性。