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公开(公告)号：CN106130491A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610487822.6
申请日：2016-06-28
申请人： 无锡思泰迪半导体有限公司
CPC分类号： H03F1/56 , H03F3/082 , H03G3/3084
摘要： 本发明涉及高速光通信接口领域，具体为一种实现TIA自动匹配输出阻抗的电路，其能够在TIA的输出端实现与负载精确自动匹配阻抗，其包括跨阻放大器，其特征在于，跨阻放大器的输入端连接发光二极管的正极、电阻Rf一端、第一MOS管的源极，跨阻放大器的输出端连接电阻Rf另一端、第一MOS的漏极、AGC模块、LPF的输入端，LPF顺次连接差分对电路、源跟随器电路、增益运放电路、差分比较器、RC低通滤波器，RC低通滤波器与源跟随电路相连，源跟随器电路包括两个源跟随MOS管，两个源跟随MOS管的源极通过电阻Rl相连，两个源跟随MOS的源极还各自连接增益运放电路中的一个运放的输入端，两个运放的输出端连接差分比较器的输入端，差分比较器至少有四个输入端。
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公开(公告)号：CN107483772A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710457451.1
申请日：2017-06-16
申请人： 无锡思泰迪半导体有限公司
IPC分类号： H04N5/14
CPC分类号： H04N5/14
摘要： 本发明属于模拟视频信号传输领域，特别是TVI/AHD/DVI制式下的安防摄像头中视频驱动芯片应用，具体为一种低通滤波器带宽切换电路，其电路结构简单，成本低，其包括运放，所述运放的同向输入端连接电阻R3一端、电容C4一端，所述电容C4另一端接地，所述电阻R3另一端连接电阻R1一端、电容C2一端，所述电阻R1另一端为滤波器输入端，所述电容C2另一端连接所述运放的反相输入端、输出端，所述运放的输出端为滤波器输出端，其特征在于，其还包括电阻调节电路和/或电容调节电路。
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公开(公告)号：CN108627190A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710626785.7
申请日：2017-07-28
申请人： 无锡思泰迪半导体有限公司
IPC分类号： G01D18/00
摘要： 本发明涉及磁传感器技术领域，具体为一种基于集成电路的高精度磁传感器校正结构和校正方法，其能够在提高校正精度的同时，所需数字/模拟转换器的面积较少，其包括磁传感器，所述磁传感器的输出端通过放大倍数固定的信号放大器连接模拟信号处理器的输入端，所述模拟信号处理器的一个输出端为最终输出信号、另一个输出端通过AD转换器、数字校正算法处理器和DA转换器连接所述磁传感器的偏置端（校正端），其特征在于，所述磁传感器与所述放大倍数固定的信号放大器之间设置有放大倍数可调的信号放大器，每个所述放大倍数可调的信号放大器与所述数字校正算法处理器之间设置有一个DA转换器形成反馈回路。
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公开(公告)号：CN106301348A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610966353.6
申请日：2016-10-28
申请人： 无锡思泰迪半导体有限公司
IPC分类号： H03K19/0185
CPC分类号： H03K19/018557
摘要： 本发明涉及模拟集成电路技术领域，具体为一种准推挽源级跟随器，其电路结构简单，能够实现在不同的电源电压下电路带宽的稳定性，其包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5和晶体管M6，特征在于，所述晶体管M5的漏极与所述晶体管M6的漏极相连后连接电流管M7的源极，所述电流管M7的栅极连接参考电压Vref2、漏极接地。
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公开(公告)号：CN207039727U
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201720703867.2
申请日：2017-06-16
申请人： 无锡思泰迪半导体有限公司
IPC分类号： H04N5/14
摘要： 本实用新型属于模拟视频信号传输领域，特别是TVI/AHD/DVI制式下的安防摄像头中视频驱动芯片应用，具体为一种低通滤波器带宽切换电路，其电路结构简单，成本低，其包括运放，所述运放的同向输入端连接电阻R3一端、电容C4一端，所述电容C4另一端接地，所述电阻R3另一端连接电阻R1一端、电容C2一端，所述电阻R1另一端为滤波器输入端，所述电容C2另一端连接所述运放的反相输入端、输出端，所述运放的输出端为滤波器输出端，其特征在于，其还包括电阻调节电路和/或电容调节电路。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206211973U
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201621186520.7
申请日：2016-10-28
申请人： 无锡思泰迪半导体有限公司
IPC分类号： H03K19/0185
摘要： 本实用新型涉及模拟集成电路技术领域，具体为一种准推挽源级跟随器，能够实现在不同的电源电压下电路带宽的稳定性，其包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5和晶体管M6，特征在于，所述晶体管M5的漏极与所述晶体管M6的漏极相连后连接电流管M7的源极，所述电流管M7的栅极连接参考电压Vref2、漏极接地。
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公开(公告)号：CN206004630U
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201620658595.4
申请日：2016-06-28
申请人： 无锡思泰迪半导体有限公司
摘要： 本实用新型涉及高速光通信接口领域，具体为一种实现TIA自动匹配输出阻抗的电路，其能够在TIA的输出端实现与负载精确自动匹配阻抗，其包括跨阻放大器，其特征在于，跨阻放大器的输入端连接发光二极管的正极、电阻Rf一端、第一MOS管的源极，跨阻放大器的输出端连接电阻Rf另一端、第一MOS的漏极、AGC模块、LPF的输入端，LPF顺次连接差分对电路、源跟随器电路、增益运放电路、差分比较器、RC低通滤波器，RC低通滤波器与源跟随电路相连，源跟随器电路包括两个源跟随MOS管，两个源跟随MOS管的源极通过电阻Rl相连，两个源跟随MOS的源极还各自连接增益运放电路中的一个运放的输入端，两个运放的输出端连接差分比较器的输入端，差分比较器至少有四个输入端。
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公开(公告)号：CN207036155U
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201720924979.0
申请日：2017-07-28
申请人： 无锡思泰迪半导体有限公司
IPC分类号： G01D18/00
摘要： 本实用新型涉及磁传感器技术领域，具体为一种基于集成电路的高精度磁传感器校正结构，其能够在提高校正精度的同时，所需数字/模拟转换器的面积较少，其包括磁传感器，所述磁传感器的输出端通过放大倍数固定的信号放大器连接模拟信号处理器的输入端，所述模拟信号处理器的一个输出端为最终输出信号、另一个输出端通过AD转换器、数字校正算法处理器和DA转换器连接所述磁传感器的偏置端（校正端），其特征在于，所述磁传感器与所述放大倍数固定的信号放大器之间设置有放大倍数可调的信号放大器，每个所述放大倍数可调的信号放大器与所述数字校正算法处理器之间设置有一个DA转换器形成反馈回路。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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