公开(公告)号：CN105849849B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201480063404.3

申请日：2014-09-30

Applicant: 施耐德电器工业公司

Inventor： M.拉皮奥克斯 ,  M.里瓦尔 ,  S.法伊克

IPC: H01H73/18 ,  H01H71/02 ,  B23K26/352 ,  B23K26/361 ,  B23K26/0622 ,  B29C37/00

CPC classification number: B23K26/355 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/352 ,  B23K26/361 ,  B23K26/362 ,  B23K26/402 ,  B23K2101/36 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  B29C37/0053 ,  B29C2059/023 ,  B29K2995/0093 ,  H01H71/025 ,  H01H73/18 ,  H02B1/04

Abstract: 本发明涉及一种用于处理壁的表面(18)的方法，以降低其导电性，所述表面位于被称为冷区域的区域中，所述区域位于其中电弧可能会发生在电弧保护设备中的区域附近，所述冷区域构成用于再冷凝切割残留物的区域。所述方法的特征在于，其包括对所述表面(18)进行微纹理化，以便促进切割残留物的再冷凝的不均匀性，通过所述残留物的沉积物在表面上生长，从而创建残留物岛部(19)，因此限制所产生的沉积物的导电性。

公开(公告)号：CN105849849A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480063404.3

申请日：2014-09-30

Applicant: 施耐德电器工业公司

Inventor： M.拉皮奥克斯 ,  M.里瓦尔 ,  S.法伊克

IPC: H01H73/18 ,  H01H71/02 ,  B23K26/36 ,  B23K26/352 ,  B29C37/00

CPC classification number: B23K26/355 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/352 ,  B23K26/361 ,  B23K26/362 ,  B23K26/402 ,  B23K2101/36 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  B29C37/0053 ,  B29C2059/023 ,  B29K2995/0093 ,  H01H71/025 ,  H01H73/18 ,  H02B1/04

Abstract: 本发明涉及一种用于处理壁的表面(18)的方法，以降低其导电性，所述表面位于被称为冷区域的区域中，所述区域位于其中电弧可能会发生在电弧保护设备中的区域附近，所述冷区域构成用于再冷凝切割残留物的区域。所述方法的特征在于，其包括对所述表面(18)进行微纹理化，以便促进切割残留物的再冷凝的不均匀性，通过所述残留物的沉积物在表面上生长，从而创建残留物岛部(19)，因此限制所产生的沉积物的导电性。