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公开(公告)号：CN111066234B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201780094787.4
申请日：2017-09-21
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H02M1/08 , H03K17/14 , H03K17/687
Abstract: 本发明的开关元件控制电路100，包括：第三电极电压控制部10，控制第三电极电压；温度检测部20，用于检测开关元件的运作温度；记忆部30，用于记忆初期阈值电压、测定初期阈值电压时的初期温度、以及阈值电压的温度特性；以及阈值电压计算部，根据：包含通过温度检测部检测出的开关元件的运作温度、初期阈值电压以及测定初期阈值电压时的开关元件的初期温度的信息、以及与开关元件处的阈值电压的温度特性有关的信息，来计算出开关元件运作时的阈值电压，其中，第三电极电压控制部根据通过阈值电压计算部计算出的运作时的阈值电压来控制第三电极电压。根据本发明的开关元件控制电路100，即便是在运作时的阈值电压从初期阈值电压发生变动的情况下，也能够减小开关损耗。
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公开(公告)号：CN107851636A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680002082.0
申请日：2016-07-15
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 一种半导体模块，包括：第一电子元件，其一端与第一布线相连接，其另一端与第二布线相连接，并且在从第一布线向第二布线的第一电流方向上流通第一元件电流；以及第二电子元件，其一端与第三布线相连接，其另一端与第四布线相连接，并且在从第三布线向第四布线的第二电流方向上流通第二元件电流，其中，第一电子元件与第二电子元件被配置为：使通过在第一电流方向上流通的第一元件电流生成的第一磁通的至少一部分，将通过在第二电流方向上流通的第二元件电流生成的第二磁通的至少一部分抵消，从而降低互感。
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公开(公告)号：CN111448747B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201780097627.5
申请日：2017-12-22
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 本发明的功率模块1被构成为在控制模式与劣化判定模式之间切换实施，控制模式对具有第一电极、第二电极以及第三电极的开关元件200的导通/断开运作进行控制，劣化判定模式根据包含有在向开关元件提供应力电流前所检测出的阈值电压与在向开关元件提供应力电流后所检测出的阈值电压的信息来算出ΔVgs，并根据包含有ΔVgs的信息来判定器件是否劣化。根据本发明的功率模块1，由于能够在运作时判定是否劣化，因此就能够防止器件破损，并且，还能够提升工作效率且降低成本。
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公开(公告)号：CN111108672B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201780094798.2
申请日：2017-09-25
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H02M1/08 , H03K17/14 , H03K17/687
Abstract: 本发明的开关元件控制电路100，包括：第三电极电压控制部10；温度检测部20；第一电极电流检测部30；记忆部40，用于记忆包含初期阈值电压的信息、以及阈值电压的运作温度·第一电极电流特性；以及阈值电压计算部50，根据：包含初期阈值电压、开关元件的运作温度以及第一电极电流的信息、以及与阈值电压的运作温度·第一电极电流特性有关的信息，来计算出开关元件200运作时的阈值电压，其中，第三电极电压控制部10根据通过阈值电压计算部50计算出的运作时的阈值电压来控制第三电极电压。根据本发明的开关元件控制电路100，即便是在运作时的阈值电压从初期阈值电压发生变动的情况下，也能够减小开关损耗。
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公开(公告)号：CN111095759B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201780094793.X
申请日：2017-09-25
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H02M1/08 , H03K17/14 , H03K17/687
Abstract: 本发明的开关元件控制电路100，包括：第三电极电压控制部10，控制第三电极电压；第一电极电流检测部20，用于检测开关元件200处流通的第一电极电流；记忆部30，用于包含记忆初期阈值电压以及初期第一电极电流的信息、以及阈值电压的漏极电极特性；以及阈值电压计算部40，根据：包含第一电极电流、初期阈值电压以及初期第一电极电流的信息、以及与阈值电压的第一电极电流特性有关的信息，来计算出开关元件200运作时的阈值电压，其中，第三电极电压控制部根据通过阈值电压计算部40计算出的运作时的阈值电压来控制第三电极电压。根据本发明的开关元件控制电路100，即便是在运作时的阈值电压从初期阈值电压发生变动的情况下，也能够减小开关损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107466424B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201680006905.7
申请日：2016-04-06
Applicant: 新电元工业株式会社
Inventor： 铃木健一
Abstract: 在功率模块内的功率半导体元件发生短路故障时，瞬间阻断短路电流从而防止温度急剧上升。功率模块10具有封装件10a。在封装件10a内，具有：作为功率半导体元件的MOSFET21；对该MOSFET21的运作状态进行检测后输出检测信号的作为检测手段的电阻23；以及与该MOSFET21串联的作为电流阻断用的开关的MOSFET22。MOSFET22对基于所述检测信号生成的控制信号Si2做出应答，在MOSFET21正常运作时处于导通状态，在MOSFET21发生短路故障时处于阻断状态从而阻断流通MOSFET21的电流。
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公开(公告)号：CN111373272A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201780097076.2
申请日：2017-11-24
Applicant: 新电元工业株式会社
Abstract: 本发明的检测用基板150，包括：主体膜1a，具有贯穿孔91；绕组部10，设置在所述主体膜1a的一侧的面、另一侧的面以及所述贯穿孔91中，将检测的电流的包围；以及绕回线部50，设置在所述主体膜1a上，与所述绕组部10的末端部连接后从所述末端部绕回起始端侧。
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公开(公告)号：CN107466424A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201680006905.7
申请日：2016-04-06
Applicant: 新电元工业株式会社
Inventor： 铃木健一
Abstract: 在功率模块内的功率半导体元件发生短路故障时，瞬间阻断短路电流从而防止温度急剧上升。功率模块10具有封装件10a。在封装件10a内，具有：作为功率半导体元件的MOSFET21；对该MOSFET21的运作状态进行检测后输出检测信号的作为检测手段的电阻23；以及与该MOSFET21串联的作为电流阻断用的开关的MOSFET22。MOSFET22对基于所述检测信号生成的控制信号Si2做出应答，在MOSFET21正常运作时处于导通状态，在MOSFET21发生短路故障时处于阻断状态从而阻断流通MOSFET21的电流。
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公开(公告)号：CN111512528B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201780097963.X
申请日：2017-12-28
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H02M1/00
Abstract: 本发明的电力转换装置1包括大于等于两组的功率模块，所述功率模块具有开关元件200、202；以及开关元件控制电路100、102，其具有第三电极电压控制部10、12及温度检测部20、22，其中，功率模块PM1、PM2被并联连接，开关元件控制电路100、102具有温度比较部30、32，其在算出开关元件200、202的平均运作温度的同时，将对应的开关元件200、202的运作温度与平均运作温度进行比较，第三电极电压控制部10、12根据包含有平均运作温度、开关元件200、202的运作温度、以及基于运作时的阈值电压的信息来控制第三电极电压。根据本发明的电力转换装置1，能够减小开关损耗，并且能够延长作为装置的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111108672A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201780094798.2
申请日：2017-09-25
Applicant: 新电元工业株式会社
IPC: H02M1/08 , H03K17/14 , H03K17/687
Abstract: 本发明的开关元件控制电路100，包括：第三电极电压控制部10；温度检测部20；第一电极电流检测部30；记忆部40，用于记忆包含初期阈值电压的信息、以及阈值电压的运作温度·第一电极电流特性；以及阈值电压计算部50，根据：包含初期阈值电压、开关元件的运作温度以及第一电极电流的信息、以及与阈值电压的运作温度·第一电极电流特性有关的信息，来计算出开关元件200运作时的阈值电压，其中，第三电极电压控制部10根据通过阈值电压计算部50计算出的运作时的阈值电压来控制第三电极电压。根据本发明的开关元件控制电路100，即便是在运作时的阈值电压从初期阈值电压发生变动的情况下，也能够减小开关损耗。
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