公开(公告)号：CN101115681B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680004118.5

申请日：2006-02-09

申请人： 新日铁高新材料株式会社

发明人： 德丸慎司 ,  冈泽健介 ,  近藤次郎 ,  冈岛正树

IPC分类号： C01B33/037

CPC分类号： C01B33/037

摘要： 本发明提供一种利用炉渣对低纯度Si进行精炼，特别地去除B的方法，该方法可抑制反应容器的因炉渣而引起的损耗，并以低成本制造在太阳能电池原料等中使用的高纯度Si。通过将SiO2和碱金属氧化物或者碱金属碳酸盐作为炉渣原料添加到熔融的Si中，使其形成炉渣时，将与所使用的反应容器材质相同的物质或反应容器材质中所含有的成分之中的一种或多种物质添加到炉渣中，以去除熔融Si中的杂质。

公开(公告)号：CN101115681A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200680004118.5

申请日：2006-02-09

申请人： 新日铁高新材料株式会社

发明人： 德丸慎司 ,  冈泽健介 ,  近藤次郎 ,  冈岛正树

IPC分类号： C01B33/037

CPC分类号： C01B33/037

摘要： 本发明提供一种利用炉渣对低纯度Si进行精炼，特别地去除B的方法，该方法可抑制反应容器的因炉渣而引起的损耗，并以低成本制造在太阳能电池原料等中使用的高纯度Si。通过将SiO2和碱金属氧化物或者碱金属碳酸盐作为炉渣原料添加到熔融的Si中，使其形成炉渣时，将与所使用的反应容器材质相同的物质或反应容器材质中所含有的成分之中的一种或多种物质添加到炉渣中，以去除熔融Si中的杂质。