公开(公告)号：CN101076885A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200580041088.0

申请日：2005-12-13

Applicant: 新日铁化学株式会社

Inventor： 岸田克也 ,  岛田彰 ,  德田裕一 ,  财部妙子

IPC: H01L21/60 ,  H05K1/03

CPC classification number: H01L23/4985 ,  H01L21/4846 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0269 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/002 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0759 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供可以透过绝缘层识别驱动器IC芯片的配线，同时导体与绝缘层之间的粘接力高，耐电迁移性优异，可以进行例如30μm间距以下的微细加工的层合体及其制造方法。本发明涉及COF基板用层合体，是在由导电性金属箔形成的导体的一个面上形成了由绝缘性树脂形成的绝缘层的COF基板用层合体，其中导体的厚度为1～8μm，导体的与绝缘层相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，并且导体的与绝缘层不相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，此外，本发明还涉及COF基板用层合体的制造方法，其中在具有至少10μm以上的厚度并且一个面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下的导电性金属箔的该面上形成绝缘层，对与该绝缘层不相接的导电性金属箔的面进行化学抛光从而使该导电性金属箔的厚度为1～8μm，同时使表面粗糙度Rz为1.0μm以下而形成导体。

公开(公告)号：CN100468675C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200580041088.0

申请日：2005-12-13

Applicant: 新日铁化学株式会社

Inventor： 岸田克也 ,  岛田彰 ,  德田裕一 ,  财部妙子

IPC: H01L21/60 ,  H05K1/03

CPC classification number: H01L23/4985 ,  H01L21/4846 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0269 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/002 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0759 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供可以透过绝缘层识别驱动器IC芯片的配线，同时导体与绝缘层之间的粘接力高，耐电迁移性优异，可以进行例如30μm间距以下的微细加工的层合体及其制造方法。本发明涉及COF基板用层合体，是在由导电性金属箔形成的导体的一个面上形成了由绝缘性树脂形成的绝缘层的COF基板用层合体，其中导体的厚度为1～8μm，导体的与绝缘层相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，并且导体的与绝缘层不相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，此外，本发明还涉及COF基板用层合体的制造方法，其中在具有至少10μm以上的厚度并且一个面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下的导电性金属箔的该面上形成绝缘层，对与该绝缘层不相接的导电性金属箔的面进行化学抛光从而使该导电性金属箔的厚度为1～8μm，同时使表面粗糙度Rz为1.0μm以下而形成导体。