公开(公告)号：CN1207192C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN98813207.9

申请日：1998-12-25

Applicant: 新日本制铁株式会社

Inventor： 近藤次郎 ,  岛田春男 ,  德丸慎司 ,  渡边隆治 ,  野上敦嗣 ,  清濑明人

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/039 ,  B01J7/00 ,  B01J12/02 ,  B01J19/0013 ,  B01J2219/00087 ,  B01J2219/00141 ,  B01J2219/00159 ,  B01J2219/00164 ,  B01J2219/00184 ,  C01B33/021 ,  C01B33/027 ,  C01B33/037

Abstract: 将固体一氧化硅加热到1000℃以上、1730℃以下，所说的固体一氧化硅歧化反应，分解生成液体或固体硅和固体二氧化硅，然后将生成的硅与二氧化硅和/或一氧化硅分离，可以制造高纯硅。当碳C、硅Si和硅铁合金中任何一种物质或其组合与二氧化硅的混合原料一起加热时，发生含有一氧化硅气体的气体，冷却该含有一氧化硅的气体生成固体一氧化硅，这种方法能够得到所说的一氧化硅固体。

公开(公告)号：CN1284046A

公开(公告)日：2001-02-14

申请号：CN98813207.9

申请日：1998-12-25

Applicant: 新日本制铁株式会社

Inventor： 近藤次郎 ,  岛田春男 ,  德丸慎司 ,  渡边隆治 ,  野上敦嗣 ,  清濑明人

IPC: C01B33/037

CPC classification number: C01B33/039 ,  B01J7/00 ,  B01J12/02 ,  B01J19/0013 ,  B01J2219/00087 ,  B01J2219/00141 ,  B01J2219/00159 ,  B01J2219/00164 ,  B01J2219/00184 ,  C01B33/021 ,  C01B33/027 ,  C01B33/037

Abstract: 将固体一氧化硅加热到1000℃以上、1730℃以下,所说的固体一氧化硅歧化反应,分解生成液体或固体硅和固体二氧化硅,然后将生成的硅与二氧化硅和/或一氧化硅分离,可以制造高纯硅。当碳C、硅Si和硅铁合金中任何一种物质或其组合与二氧化硅的混合原料一起加热时,发生含有一氧化硅气体的气体,冷却该含有一氧化硅的气体生成固体一氧化硅,这种方法能够得到所说的一氧化硅固体。