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公开(公告)号:CN1564783A
公开(公告)日:2005-01-12
申请号:CN03801130.1
申请日:2003-07-22
Applicant: 新日本制铁株式会社
IPC: C01B33/021
CPC classification number: C01B33/021
Abstract: 本发明涉及一种生产Si的方法,其特征在于它包括将碱金属元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐或氟化物、或者碱土金属元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐或氟化物、或者两种或更多种前述化合物加入固体SiO中,其中这些化合物的总摩尔量为固体SiO摩尔量的1/20至1000倍,将混合物在Si的熔点至2000℃之间加热以进行形成Si的反应,以及将Si与反应副产物分离并回收。该方法可以用于以较低成本和良好的效率由各种形式的SiO生产Si,所述SiO是在Si生产方法等中形成且传统上没有工业价值。
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公开(公告)号:CN1268544C
公开(公告)日:2006-08-09
申请号:CN03801130.1
申请日:2003-07-22
Applicant: 新日本制铁株式会社
IPC: C01B33/021
CPC classification number: C01B33/021
Abstract: 本发明涉及一种生产Si的方法,其特征在于它包括将碱金属元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐或氟化物、或者碱土金属元素的氧化物、氢氧化物、碳酸盐或氟化物、或者两种或更多种前述化合物加入固体SiO中,其中这些化合物的总摩尔量为固体SiO摩尔量的1/20至1000倍,将混合物在Si的熔点至2000℃之间加热以进行形成Si的反应,以及将Si与反应副产物分离并回收。该方法可以用于以较低成本和良好的效率由各种形式的SiO生产Si,所述SiO是在Si生产方法等中形成且传统上没有工业价值。
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公开(公告)号:CN1284046A
公开(公告)日:2001-02-14
申请号:CN98813207.9
申请日:1998-12-25
Applicant: 新日本制铁株式会社
IPC: C01B33/037
CPC classification number: C01B33/039 , B01J7/00 , B01J12/02 , B01J19/0013 , B01J2219/00087 , B01J2219/00141 , B01J2219/00159 , B01J2219/00164 , B01J2219/00184 , C01B33/021 , C01B33/027 , C01B33/037
Abstract: 将固体一氧化硅加热到1000℃以上、1730℃以下,所说的固体一氧化硅歧化反应,分解生成液体或固体硅和固体二氧化硅,然后将生成的硅与二氧化硅和/或一氧化硅分离,可以制造高纯硅。当碳C、硅Si和硅铁合金中任何一种物质或其组合与二氧化硅的混合原料一起加热时,发生含有一氧化硅气体的气体,冷却该含有一氧化硅的气体生成固体一氧化硅,这种方法能够得到所说的一氧化硅固体。
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公开(公告)号:CN1207192C
公开(公告)日:2005-06-22
申请号:CN98813207.9
申请日:1998-12-25
Applicant: 新日本制铁株式会社
IPC: C01B33/037
CPC classification number: C01B33/039 , B01J7/00 , B01J12/02 , B01J19/0013 , B01J2219/00087 , B01J2219/00141 , B01J2219/00159 , B01J2219/00164 , B01J2219/00184 , C01B33/021 , C01B33/027 , C01B33/037
Abstract: 将固体一氧化硅加热到1000℃以上、1730℃以下,所说的固体一氧化硅歧化反应,分解生成液体或固体硅和固体二氧化硅,然后将生成的硅与二氧化硅和/或一氧化硅分离,可以制造高纯硅。当碳C、硅Si和硅铁合金中任何一种物质或其组合与二氧化硅的混合原料一起加热时,发生含有一氧化硅气体的气体,冷却该含有一氧化硅的气体生成固体一氧化硅,这种方法能够得到所说的一氧化硅固体。
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