-
公开(公告)号:CN101163957B
公开(公告)日:2011-07-13
申请号:CN200480044409.8
申请日:2004-09-15
CPC分类号: G01N29/022 , G01N5/02 , G01N21/553 , G01N2291/0255 , G01N2291/0256 , G01N2291/02818 , G01N2291/0421 , G01N2291/0422
摘要: 一种传感器芯片组件,用于能够进行表面等离子体共振(SPR)和重量检测的传感器。所述组件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的透明压电基底(1)。所述组件还包括分别设置于基底(1)第一和第二表面上的第一和第二薄膜金属电极(2,3)。第二薄膜金属电极(3)设置于所述基底(1)的第二表面上,从而光束可传播通过所述基底的第二表面并从第一薄膜金属电极反射。所述组件还包括与第二薄膜金属电极(3)相邻的衰减全反射(ATR)耦合器(11)。
-
公开(公告)号:CN101163957A
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200480044409.8
申请日:2004-09-15
CPC分类号: G01N29/022 , G01N5/02 , G01N21/553 , G01N2291/0255 , G01N2291/0256 , G01N2291/02818 , G01N2291/0421 , G01N2291/0422
摘要: 一种传感器芯片组件,用于能够进行表面等离子体共振(SPR)和重量检测的传感器。所述组件包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的透明压电基底(1)。所述组件还包括分别设置于基底(1)第一和第二表面上的第一和第二薄膜金属电极(2,3)。第二薄膜金属电极(3)设置于所述基底(1)的第二表面上,从而光束可传播通过所述基底的第二表面并从第一薄膜金属电极反射。所述组件还包括与第二薄膜金属电极(3)相邻的衰减全反射(ATR)耦合器(11)。
-